Сенокосов Эдуард Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев $n$-CdSe/слюда
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  689–694
2. Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  203–206
3. Краевое излучение ZnSe при взаимодействии носителей заряда и плазмон-фононных возбуждений
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  63–68
4. Излучение электронно-дырочной плазмы в сильно возбужденных пленках ZnTe/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 31:10 (1989),  132–139
5. Коллективные процессы в примесном рекомбинационном излучении прямозонных полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  542–545
6. Многоплазмонные оптические переходы в невырожденной электронно-дырочной плазме прямозонных полупроводников
   
   Физика твердого тела, 30:2 (1988),  614–617
7. Многоплазмонная люминесценция невырожденной электронно-дырочной плазмы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2103–2106
8. Особенности перестройки спектров краевой катодолюминесценции сильно возбужденных эпитаксиальных пленок селенида цинка
   
   Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2614–2620
9. Об участии плазмонов в излучении электронно-дырочной плазмы эпитаксиальных слоев ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1571–1576
10. Особенности рекомбинационных процессов в эпитаксиальных фотопроводящих слоях ZnTe
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  434–437
11. О структуре краевой люминесценции эпитаксиальных пленок ZnTe на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1120–1123
12. Лазерные экраны из монокристаллических пленок ZnSe и ZnTe, выращенных на сапфире
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1380–1382