Мокеров Владимир Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах $\mathrm{AlGaAs}/\mathrm{GaAs}$
   
   Докл. РАН, 348:5 (1996),  608–610
2. Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах $\mathrm{N}$–$\mathrm{AlGaAs}/\mathrm{GaAs}$
   
   Докл. РАН, 348:1 (1996),  42–44
3. Кинетические уравнения послойного эпитаксиального роста
   
   Докл. РАН, 347:4 (1996),  469–471
4. Обобщенная модель кинетики роста на вицинальной поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Докл. РАН, 344:1 (1995),  40–42
5. Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования
   
   Докл. РАН, 332:5 (1993),  575–577
6. Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1795–1800
7. Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным энергетическим спектром
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1521–1528
8. Характеристика и особенности проводимости приповерхностных $\delta$-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1462–1470
9. Электронная подвижность слоев арсенида галлия, получаемых молекулярно-лучевой эпитаксией в атмосфере водорода
   
   Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  25–28
10. Фотоэлектрические характеристики многослойных $p^{+}{-}i{-}n^{+}$-структур GaAs$-$AlGaAs с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2017–2023
11. Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  635–637
12. Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной гетероструктурой
    
    Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  76–78
13. Новая эпитаксиальная структура для арсенид-галлиевых приборов на подложках кремния
    
    Письма в ЖТФ, 16:11 (1990),  48–52
14. Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As на переменном токе
    
    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  73–78
15. О распределении поля в краевых магнитоплазменных колебаниях в $2D$-канале гетероструктуры GaAs$-$AlGaAs
    
    ЖТФ, 59:8 (1989),  136–138
16. Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной системе
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1196–1198
17. Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1522–1524
18. Двумерная электронно-дырочная система в области гетероперехода в структурах GaAs$-$GaAlAs с модулированным легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  449–455
19. Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования структур GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As
    
    ЖТФ, 56:6 (1986),  1198–1201
20. Электронная оже-спектрометрия тонких пленок силицидов платины на кремнии
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1212–1214
21. Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана
    
    Докл. АН СССР, 264:6 (1982),  1370–1374
22. Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник – металл в двуокиси ванадия
    
    Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1363–1366
23. Когерентные свойства лазера на парах меди и динамические голограммы на пленках двуокиси ванадия
    
    Квантовая электроника, 5:2 (1978),  425–428