RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Крыжановская Наталья Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
  2. Исследование излучения микродискового лазера, монолитно интегрированного с оптическим волноводом

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  388–391
  3. Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  37–42
  4. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора

    Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
  5. Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре

    Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  32–35
  6. Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами

    Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  11–14
  7. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
  8. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора

    Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
  9. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
  10. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом

    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
  11. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
  12. Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  3–6
  13. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
  14. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства

    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117
  15. Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  276–281
  16. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
  17. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
  18. Исследование фотолюминесценции в системе InGaAs/GaAs с квантовыми точками спектрального диапазона 1100 нм

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  63–70
  19. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

    Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
  20. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  993–996
  21. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939
  22. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
  23. Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным $p$–$n$-переходом

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  340–348
  24. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
  25. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  40–43
  26. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
  27. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин

    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
  28. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
  29. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы

    Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
  30. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
  31. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
  32. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
  33. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
  34. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
  35. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды

    Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  30–33
  36. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
  37. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
  38. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
  39. Предельная температура генерации микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
  40. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
  41. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216
  42. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
  43. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек

    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
  44. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
  45. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
  46. Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  216–220
  47. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования

    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  10–13
  48. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
  49. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
  50. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
  51. Спектральные характеристики отражения микромассивов кремниевых нанопилларов

    Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018),  695–699
  52. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
  53. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
  54. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
  55. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386
  56. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
  57. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
  58. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
  59. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
  60. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
  61. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
  62. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
  63. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке

    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
  64. Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  961–965
  65. Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  956–960
  66. Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  688–692
  67. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
  68. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме

    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  61–70
  69. Лазерная генерация в микродисках сверхмалого диаметра

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1666–1670
  70. Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи

    Квантовая электроника, 44:3 (2014),  189–200
  71. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
  72. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
  73. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
  74. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77
  75. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
  76. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1049–1053
  77. Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  815–819
  78. Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  235–240
  79. Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$

    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1209–1213
  80. Влияние нелинейного насыщения усиления на предельную частоту модуляции в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  996–1000
  81. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
  82. Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  540–546
  83. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
  84. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
  85. Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN$_x$As$_y$P$_{1-x-y}$

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  886–890
  86. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
  87. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840

© МИАН, 2026