|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Дифференциальная туннельная проводимость в лентах $n$-Bi$_2$Te$_{3-y}$Se$_y$, полученных спиннингованием расплава
Физика твердого тела, 67:12 (2025), 2257–2263
-
Термоэлектрические свойства пленок твердого раствора $p$-(Bi,Sb)$_2$Te$_3$ с учетом энергетической зависимости времени релаксации
Физика твердого тела, 66:12 (2024), 2247–2253
-
Исследование поверхности в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы методами сканирующей туннельной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии
Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1864–1870
-
Исследование межслоевой поверхности пленок $p$-Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$ топологических термоэлектриков методами сканирующей туннельной спектроскопии и микроскопии
Физика твердого тела, 66:8 (2024), 1318–1324
-
Осцилляции магнетосопротивления в пленках многокомпонентных топологических изоляторов на основе теллурида висмута
Физика твердого тела, 66:4 (2024), 557–562
-
Оптическое поглощение, связанное с межзонными и межподзонными переходами электронов в теллуриде висмута
Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 169–172
-
Сканирующая туннельная микроскопия в халькогенидных термоэлектриках (Bi, Sb)$_2$(Te, Se, S)$_3$
Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 22–27
-
Дефекты межслоевой поверхности и термоэлектрические свойства в слоистых пленках топологических изоляторов $n$-Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.15}$S$_{0.15}$
Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1476–1482
-
Дифференциальная туннельная проводимость в многокомпонентных твердых растворах Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y-z}$Se$_{y}$S$_{z}$
Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1128–1131
-
Эффективная масса, подвижность носителей заряда и решеточная теплопроводность в нанокомпозитных термоэлектриках на основе халькогенидов висмута и сурьмы
Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1124–1127
-
Гальваномагнитные свойства в анизотропных слоистых пленках на основе халькогенидов висмута
Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1119–1123
-
Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 751–755
-
Фактор мощности твердых растворов на основе теллурида висмута в области топологических фазовых переходов при высоких давлениях
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 741–745
-
Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках $n$-Bi$_{2}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 654–658
-
Термоэлектрические и гальваномагнитные свойства слоистых пленок $n$-Bi$_{2-x}$Sb$_{x}$Te$_{3-y}$Se$_{y}$
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 626–630
-
Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 880–883
-
Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения
Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 873–876
-
Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 763–765
-
Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 726–728
-
Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы
Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1390–1397
-
Поверхностные состояния носителей заряда в эпитаксиальных пленках топологического изолятора Bi$_2$Te$_3$
Физика твердого тела, 56:5 (2014), 907–913
-
Термоэлектрические свойства твердых растворов $n$-Bi$_2$Te$_{3-x-y}$Se$_x$S$_y$ при высоком давлении
Физика твердого тела, 56:2 (2014), 263–269
-
Ширина запрещенной зоны и тип оптических переходов на пороге межзонного поглощения в твердых растворах на основе теллурида висмута
Физика твердого тела, 54:11 (2012), 2051–2057
-
Термоэлектрические свойства твердых растворов $p$-Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$ под давлением
Физика твердого тела, 54:2 (2012), 246–251
-
Термоэлектрические материалы для температур ниже 150 K
Письма в ЖТФ, 18:16 (1992), 79–82
-
Кинетические явления в твердом растворе Bi$_{2-x}$In$_{x}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$
Физика твердого тела, 33:12 (1991), 3539–3545
-
Термоэлектрические свойства твердых растворов Bi$_{2}$Te$_{3-x-y}$Se$_{x}$S$_{y}$ с учетом эффективного параметра рассеяния
Физика твердого тела, 32:11 (1990), 3350–3354
-
Анизотропия рассеяния носителей заряда в твердых растворах Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ и Bi$_{2-y}$In$_{y}$Te$_{3}$
Физика твердого тела, 32:2 (1990), 488–492
-
Влияние эффективного параметра рассеяния на массу плотности состояний
и подвижность в твердых растворах на основе халькогенидов висмута и сурьмы
Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 652–656
-
Отношения компонентов тензора эффективных масс плотности состояний и параметр вырождения в твердых растворах на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$
Физика твердого тела, 29:10 (1987), 2966–2969
-
Концентрационная зависимость параметра анизотропии в $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ и твердых растворах на его основе
Физика твердого тела, 28:3 (1986), 899–902
-
Зависимость эффективного параметра рассеяния от концентрации носителей заряда в твердых растворах на основе теллурида висмута
Физика твердого тела, 26:8 (1984), 2501–2504
-
Лазерное излучение в твердых растворах Cd3(AsxP1–x)2
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1926–1928
© , 2026