Кулюк Леонид Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Краевые эффекты в генерации второй гармоники в наноразмерных слоях дихалькогенидов переходных металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  810–816
2. Картирование усиления двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  376–378
3. Изоструктурный фазовый переход в полупроводниковой шпинели CdIn$_{2}$S$_{4}$
   
   Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2927–2930
4. Люминесценция ионов хрома в монокристаллах полупроводниковой шпинели CdIn$_{2}$S$_{4}$ : Cr
   
   Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1907–1915
5. Стационарная и разрешенная во времени фотолюминесценция монокристаллов фосфида кадмия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  58–63
6. Генерация второй гармоники при отражении от границы раздела SiO$_{2}$/Si: роль кристаллического переходного слоя
   
   Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  37–41
7. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ и фононные моды в некоторых полупроводниках A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ со структурой шпинели
   
   Физика твердого тела, 30:2 (1988),  457–461
8. Нелинейно-оптический отклик поверхности в центросимметричных полупроводниках
   
   Докл. АН СССР, 294:3 (1987),  579–583
9. Фотоэлектрические и излучательные свойства эпитаксиальных слоев InP, облученных протонами
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2084–2086
10. Нелинейно-оптическое электроотражение в фосфиде кадмия
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3228–3230
11. Нелинейно-оптический метод исследования и контроля микронеоднородности поверхности металлов и полупроводников
    
    Письма в ЖТФ, 12:22 (1986),  1345–1349
12. Рекомбинационное излучение в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ : Cr
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1707–1709
13. Кинетика люминесценции монокристаллов CdIn$_{2}$S$_{4}$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  534–536
14. Лазерная генерация в слоях In$_{0.53}$Gd$_{0.47}$As/InP (${\lambda=1.53}$ мкм) при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 10:18 (1984),  1099–1102
15. Лазерное излучение в твердых растворах Cd₃(As_xP_1–x)₂
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1926–1928
16. Роль параметрического и комбинационного процессов при генерации осевой второй стоксовой компоненты ВКР
    
    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1537–1546
17. Об угловой структуре высших компонент ВКР света
    
    Квантовая электроника, 4:5 (1977),  982–988
18. Экспериментальное исследование механизмов параметрической генерации компонент ВКР
    
    Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1027–1034
19. Измерение давления газообразного дейтерия с помощью ВКР
    
    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  928–929
20. Наблюдение четырехволновых параметрических взаимодействий в парах цезия и бария
    
    Квантовая электроника, 3:3 (1976),  664–667
21. Исследование контура линии усиления неодимового стекла с помощью кольцевого лазера с перестраиваемой частотой
    
    Квантовая электроника, 3:3 (1976),  653–655
22. Исследование ВКР в газах при возбуждении излучением 4-й гармоники неодимового лазера
    
    Квантовая электроника, 2:11 (1975),  2475–2480
23. Наблюдение самовоздействия светового пучка в сжатом водороде, обусловленного вынужденным комбинационным рассеянием
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1888–1890