Балтрамеюнас Р

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическое усиление в квантовых сверхрешетках GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
   
   Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1696–1701
2. Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериодных сверхрешетках
   
   Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2418–2422
3. Эффекты деформации фундаментального края дефектами в двухфотонной спектроскопии полупроводников
   
   Физика твердого тела, 33:3 (1991),  944–946
4. Изменение оптических свойств кристаллов кремния в пикосекундном временно́м диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  736–739
5. Быстрое переключение пропускания света в стеклах, активированных микрокристаллами CdS
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  271–275
6. Экситоны в спектрах люминесценции сверхтонких пленок PbI$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1339–1344
7. Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1550–1556
8. Быстрозатухающая компонента излучения ортогерманата висмута
   
   Письма в ЖТФ, 16:12 (1990),  11–14
9. Релаксация энергии фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в твердом растворе CdS$_{1-x}$Se$_{x}$
   
   Физика твердого тела, 31:11 (1989),  259–261
10. Экситонные спектры структур с естественными квантовыми ямами Pb$_{1-x}$Mn$_{x}$I$_{2}$/PbI$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 31:9 (1989),  285–288
11. Селективно возбужденная люминесценция тригерманата висмута
    
    Физика твердого тела, 31:9 (1989),  249–251
12. Непрямые межзонные переходы в монокристаллах РbМоO$_{4}$. Двухфотонная спектроскопия
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  305–308
13. Влияние перезарядки мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1214–1219
14. Исследование оптического усиления в сверхрешетках GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  792–795
15. Кинетика возгорания люминесценции остывающей электронно-дырочной плазмы в кристалле CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  565–568
16. Влияние амплитудной решетки на дифракционную эффективность динамических голограмм в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  517–520
17. Особенности спектров оптического усиления квазидвумерной электронно-дырочной плазмы
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2020–2023
18. Неоднородное уширение полосы излучения электронно-дырочной плазмы в кристаллах ZnSe
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1832–1834
19. Глубокие локальные уровни как виртуальные промежуточные состояния процесса двухфотонного поглощения в кристаллах ZnO и ZnSe
    
    Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1089–1097
20. Коллективные эффекты в сильно возбужденных слоистых кристаллах InI
    
    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  447–451
21. Исследования экситонной люминесценции сверхрешеток GaAs$-$GaAlAs с пикосекундным временны́м разрешением
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2232–2236
22. Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1422–1427
23. Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1163–1170
24. Влияние мелких примесей на дефокусировку лазерного луча в кристаллах кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  146–147
25. Исследование быстропротекающих рекомбинационных процессов в имплантированных структурах арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2223–2225
26. Воздействие наносекундных лазерных импульсов на поверхность ионно-легированного кремния при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2219–2223
27. Нелинейное поглощение света и самофокусировка лазерного луча в монокристаллах селенида цинка
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1203–1206
28. Релаксация энергии электронно-дырочной плазмы в сильно возбужденном CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  932–935
29. Глубина проникновения плотного экситонного газа в кристалл
    
    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2570–2572
30. Взаимодействие продольных оптических фононов со сверхзатухающими неравновесными плазмонами в GaAs
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1576–1577
31. Нелинейная рефракция и изменение холловской подвижности в сильно возбужденных кристаллах CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1243–1247
32. Экранирование электрон-фононного взаимодействия в сильно возбужденном селениде кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1141–1143
33. Поляризация люминесценции электронно-дырочной плазмы в кристаллах CdSe при смешивании дырочных зон
    
    Физика твердого тела, 27:12 (1985),  3672–3673
34. Дефокусировка лазерного излучения и механизм светонаведенного изменения показателя преломления в кремнии
    
    Физика твердого тела, 27:10 (1985),  2931–2935
35. Влияние экситон-экситонного взаимодействия на поляризационные свойства люминесценции монокристаллов CdSe при сильном возбуждении
    
    Физика твердого тела, 27:5 (1985),  1478–1482
36. Исследование глубоких уровней в монокристаллах ZnSe методом нелинейной спектроскопии поглощения
    
    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  371–378
37. Самовоздействие мощных световых пучков в кристаллах CdSe
    
    Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  522–526
38. Исследования спектральных зависимостей двухфотонного поглощения в монокристаллах ZnP$_{2}$ тетрагональной модификации
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3701–3703
39. Исследования особенностей нелинейного поглощения света в монокристаллах ZnO
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3596–3605
40. Люминесценция монокристаллов TlInS$_{2}$ при лазерных уровнях возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1898–1900
41. Лазерный и термический отжиг тонких пленок сульфида свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1857–1859
42. Применение динамической голографии для измерения времени когерентности одиночных пикосекундных импульсов света
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1921–1923
43. Люминесценция и генерация света в монокристаллах ZnSe при одно- и двухфотонном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  898–901