Кавокин Кирилл Витальевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Измерение ядерного локального поля методом адиабатического размагничивания в квантовой яме CdTe/CdZnTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  73–78
2. Поглощение мощности переменного магнитного поля на частотах ядерных спин-спиновых взаимодействий в полупроводниках
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  954–959
3. Измерение времени жизни экситона в двойной полумагнитной квантовой яме с помощью магнитооптического эффекта Керра
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  561–564
4. Проявление обменного взаимодействия электронов, разделенных потенциальным барьером в двойных квантовых ямах, в эффекте Керра
   
   Физика твердого тела, 65:1 (2023),  83–86
5. Проявление диполь-дипольного и квадрупольного взаимодействий в спектре коррелятора оптически охлажденных ядерных спинов объемного кристалла $n$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  265–269
6. Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs : Mn
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  738–742
7. Determination of the quadrupole splitting in bulk $n$-GaAs by warm-up spectroscopy
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1403
8. Подавление электронно-дырочного обменного взаимодействия в резервуаре неизлучающих экситонов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1195–1199
9. Управляемое переключение между квантовыми состояниями в экситон-поляритонном конденсате
   
   Письма в ЖЭТФ, 103:5 (2016),  355–358
10. Динамика рекомбинации носителей в полупроводниковой лазерной структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1578–1582
11. Nuclear spin relaxation mediated by Fermi-edge electrons in $n$-type GaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:1 (2014),  40–44
12. Смешение состояний в квантовых ямах для поляритонных эмиттеров терагерцового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 39:15 (2013),  56–63
13. Влияние разупорядочения кислорода в YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6+x}$ на электропроводность и $T_{c}$ в интервале $0.21\leqslant x\leqslant 0.73$
    
    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  784–788
14. Оптическое измерение диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации электронов в слоях $p$-GaAs
    
    Физика твердого тела, 33:10 (1991),  2928–2931