RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Тигиняну Иван Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Фононный спектр и краевое поглощение в соединении CdAl$_{2}$S$_{4}$

    Физика твердого тела, 34:3 (1992),  967–969
  2. Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов ZnAl$_{2(1-x)}$Ga$_{2x}$S$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2038–2039
  3. Спектры КРС соединения $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ с различным упорядочением катионной подрешетки

    Докл. АН СССР, 315:6 (1990),  1365–1367
  4. Изменения ближнего порядка в поверхностных слоях $\mathrm{Hg}_x\mathrm{Cd}_{1-x}\mathrm{Te}$ при имплантации ионов $\mathrm{He}^{2+}$

    Докл. АН СССР, 313:2 (1990),  330–333
  5. Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в $n$-InP

    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2034–2036
  6. Влияние тетрагонального сжатия решетки на излучательные свойства соединений $\mathrm{A}^\mathrm{II}\mathrm{B}_2^\mathrm{III}\mathrm{C}_4^\mathrm{VI}$

    Докл. АН СССР, 305:2 (1989),  347–350
  7. О фазовом переходе порядок$-$беспорядок в катионной подрешетке соединения ZnGa$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1725–1727
  8. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1581–1583
  9. Об одном механизме образования квазинепрерывно распределенных по энергии ловушек в кристаллах полупроводников и диэлектриков

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1568–1571
  10. Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1814–1817
  11. Влияние отжига на рассеяние света примесными скоплениями в полуизолирующих кристаллах InP : Fe и GaAs : Cr

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1112–1114
  12. Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1110–1112
  13. Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного полуизолирующего GaAs при термообработке

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1108–1110
  14. Антиструктурные дефекты в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  3–15
  15. Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения

    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1179–1180
  16. Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$»

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2131
  17. Температурная зависимость края поглощения в соединениях CdGa$_{2}$Se$_{4}$ и CdIn$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1914–1916
  18. Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1116–1118
  19. Фотопроводимость фосфида индия, обусловленная антиструктурным дефектом P$_{\text{In}}$

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1310–1312
  20. Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  810–813
  21. Широкозонные полупроводники A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  193–212
  22. Свойства $p{-}n$-перехода, полученного ионной имплантацией магния в InP

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  160–161
  23. Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1812–1815
  24. Фотолюминесценция кристаллов InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2177–2179
  25. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1524–1525
  26. Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  593–598
  27. Исследование некоторых фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов γ-La2S3

    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1515–1517

© МИАН, 2026