Карпов Сергей Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модифицированная теория связанных волн и численный метод для анализа брэгговских зеркал с произвольным профилем показателя преломления
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  1997–2007
2. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
3. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
4. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
5. Распространение и преобразование волн в средах с одномерной периодичностью
   
   УФН, 163:1 (1993),  63–89
6. Об условиях существования «самораспространяющегося»заглубленного расплава
   
   Физика твердого тела, 33:7 (1991),  1991–1999
7. Фазовые превращения аморфного бинарного полупроводника в процессе импульсного лазерного воздействия
   
   Физика твердого тела, 33:1 (1991),  99–103
8. Исследование взаимного теплового влияния элементов лазерной линейки, работающей в квазинепрерывном режиме
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1361–1365
9. Об условиях образования галлий-стабилизированной поверхности GaAs (100) в процессе эпитаксии из молекулярных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  94–98
10. Исследование кристаллического качества твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As в зависимости от реконструкции поверхности в процессе эпитаксиального роста из молекулярных пучков
    
    Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  42–44
11. Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  31–34
12. Оптическое исследование кинетики плавления кристаллического германия под действием наносекундных лазерных импульсов
    
    Физика твердого тела, 32:2 (1990),  548–558
13. О возможном механизме холодного ядерного синтеза
    
    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  91–94
14. Динамика плавления и кристаллизации тонких аморфных имплантированных слоев кремния под действием наносекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  13–17
15. Лазерная очистка подложки для молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия: исследование с помощью дифракции быстрых электронов
    
    Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  67–69
16. Диффузионная модель эпитаксиального роста твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As из ограниченного расплава
    
    ЖТФ, 58:2 (1988),  355–362
17. О влиянии примеси внедрения на люминесцентные свойства имплантированного фосфида индия после лазерного отжига
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  176–181
18. Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754
19. Брэгговское отражение ограниченных световых пучков
    
    ЖТФ, 57:3 (1987),  602–605
20. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
21. Жидкостная эпитаксия, контролируемая изменением температуры и тока (ЖЭКИТТ)
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  353–360
22. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения (обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1945–1969
23. О восстановлении люминесцентных свойств имплантированного фосфида индия под действием импульсного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1217–1222
24. Динамика плавления кристаллического фосфида индия под действием наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1119–1122
25. Аномальное поведение оптических характеристик расплава фосфида индия, полученного при воздействии наносекундного лазерного импульса
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1115–1119
26. Исследование температурной стабильности спектральных полос распределенного отражения в монолитно-гибридном брэгговском гетеролазере
    
    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  268–274
27. Многоволновые лазерные излучатели на основе твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  1962–1966
28. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455
29. Фазовые особенности отражения света брэгговским зеркалом, обусловленные скачком диэлектрической проницаемости на его границе
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  989–993
30. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
31. О воздействии наносекундных лазерных импульсов на фосфид индия
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  916–920
32. Исследование инжекционного брэгговского гетеролазера с высокой температурной стабильностью длины волны излучения
    
    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  524–530
33. Фотолюминесценция ионно-имплантированного $Ga\,As$ после наносекундного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  368–371
34. Диффузионный перенос вещества в кристаллизующихся многокомпонентных растворах–расплавах
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2004–2010
35. Концентрирующие голографические дифракционные решетки II. Экспериментальные результаты
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  1948–1955
36. Концентрирующие топографические дифракционные решетки I. Теория
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  1942–1947
37. Об использовании высших порядков электродинамической теории возмущений для описания дифракции света на объемных фазовых решетках
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1233–1236
38. О спектральной зависимости коэффициента отражения брэгговского зеркала
    
    Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  945–949
39. Поляризационные эффекты в гетеролазерах с распределенной обратной связью
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1560–1567
40. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом
    
    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
41. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1047–1050
42. Дифракция волн на стыке диэлектрических волноводов
    
    Квантовая электроника, 9:3 (1982),  605–607