RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Мильвидский Михаил Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат–дислокационные петли в кремнии

    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  493–503
  2. Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  965–969
  3. Особенности жидкофазной эпитаксии и электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As : Sb

    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  475–478
  4. Особенности фононного спектра эпитаксиальных слоев In$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  21–24
  5. Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1367–1370
  6. Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  800–804
  7. Формирование неоднородности состава кристаллов арсенида галлия, обусловленной дислокациями

    ЖТФ, 59:2 (1989),  106–110
  8. Об аномалиях электрофизических свойств эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As и их природе

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1177–1181
  9. Об одной особенности донора — серы в GaP

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1070–1075
  10. Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  456–460
  11. Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2035–2038
  12. Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1792–1795
  13. Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1004–1010
  14. Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  307–312
  15. Жидкостная эпитаксия, контролируемая изменением температуры и тока (ЖЭКИТТ)

    ЖТФ, 56:2 (1986),  353–360
  16. Уширение полос поглощения водородоподобных центров в кремнии с изовалентными примесями

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1647–1653
  17. Влияние термообработки на люминесцентные и электрофизические параметры приповерхностных слоев монокристаллических пластин арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1588–1593
  18. О роли дислокаций в формировании свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  634–640
  19. Деформационные заряды изовалентных примесей в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  270–274
  20. О поведении кислорода в кремнии, легированном изовалентными примесями

    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1982–1985
  21. Определение рекомбинационной активности и глубины залегания точечнообразных дефектов в кристаллах полупроводников методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  38–43
  22. Оптические свойства Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$

    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  145–150
  23. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)

    ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
  24. Исследование влияния условий наращивания гетероструктуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs в системе МОС$-$AsH$_{3}{-}$H$_{2}$ на параметры солнечных элементов (СЭ)

    ЖТФ, 54:1 (1984),  187–189
  25. Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную примесь олова

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1573–1576
  26. Генерация термодоноров в кремнии, легированном германием

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1309–1311
  27. Комплексообразование и термостабильность электрофизических свойств монокристаллов полуизолирующего GaAs

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  465–470
  28. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2022–2024
  29. Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  108–114
  30. Исследование собственных точечных дефектов структуры в монокристаллах арсенида галлия методом ядерного магнитного резонанса

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  93–96
  31. Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм

    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1990–1992
  32. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP

    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489
  33. Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  703–704
  34. Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Gaxln1–xAsySb1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  126–128
  35. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)

    Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1381–1393
  36. Люминесценция и лазерный эффект в Gaxln1–xAsySb1–y

    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  932–934
  37. Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм

    Квантовая электроника, 3:2 (1976),  465–466
  38. Образование дислокаций в совершенных монокристаллах под действием напряжений

    Докл. АН СССР, 207:5 (1972),  1109–1111
  39. О влиянии легирующих примесей на анизотропию пластической деформации монокристаллов $\mathrm{GaAs}$

    Докл. АН СССР, 184:5 (1969),  1084–1087
  40. О форме нахождения примесей в сильнолегированных монокристаллах германия и кремния $n$-типа

    Докл. АН СССР, 149:5 (1963),  1119–1122

© МИАН, 2026