Левинштейн Михаил Ефимович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
2. Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196
3. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
4. Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52
5. Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750
6. Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57
7. Низкочастотные шумы и сопротивление фотодиодов с незащищенной поверхностью на основе InAsSbP/InAs в атмосфере паров этанола
   
   Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  19–24
8. Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813
9. Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре
   
   Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445
10. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
11. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
12. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
13. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
    
    УФН, 189:8 (2019),  803–848
14. Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248
15. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130
16. О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834
17. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239
18. Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673
19. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414
20. Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1071–1077
21. Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  302–309
22. Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  118–123
23. Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1224–1229
24. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  219–223
25. Модуляционные волны носителей заряда в полупроводниковых слоях $n$- и $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  196–201
26. Генерация донорного центра в высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодах под действием прямого тока
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  45–50
27. Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока
    
    Письма в ЖТФ, 37:8 (2011),  7–12
28. Шум $1/f$, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии
    
    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  543–547
29. О разнице между статической и динамической силами трения
    
    Письма в ЖТФ, 18:5 (1992),  42–46
30. Природа объемного шума $1/f$ в GaAs и Si (обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2065–2104
31. Температурная зависимость низкочастотного шума в структурно совершенном и подвергнутом деструктивному сжанию GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  355–358
32. Релаксация фотопроводимости и шум $1/f$ в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
    
    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  164–167
33. Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1807–1815
34. Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи с проблемой шума $1/f$
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1531–1538
35. Кинетика спада долговременно́й фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  836–843
36. Эффект немонотонной зависимости шума $1/f$ от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  813–820
37. Шум $1/f$ и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1828–1833
38. Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1187–1192
39. Модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  283–291
40. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1574–1579
41. Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1134–1137
42. Подавление светом шума $1/f$ в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1120–1122
43. Перестройка светом шума $1/f$ в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1049–1052
44. Влияние температуры на перестройку светом шума $1/f$ в GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  1978–1982
45. Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых диодных структур
    
    Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1526–1530
46. Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах
    
    Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  545–547
47. Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  129–133
48. О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое
    
    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743
49. Подавление светом шума $1/f$ в арсениде галлия
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  645–648
50. Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров
    
    ЖТФ, 56:7 (1986),  1343–1347
51. Шум $1/f$ горячих электронов в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1651–1656
52. Высокочастотная проводимость Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  131–133
53. Динамическая локализация тока в переходном процессе включения тиристоров
    
    ЖТФ, 54:1 (1984),  124–130
54. Особенности неустойчивости в условиях отрицательной дифференциальной проводимости при наличии двух сортов носителей
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1577–1582
55. Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433
56. Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной структуры
    
    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  385–388
57. Основные параметры включения арсенид-галлиевых тиристоров
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  573–575
58. Шум $1/f$ в условиях сильного геометрического магнитосопротивления
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1830–1834
59. Исследование процесса переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на ЭВМ
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1812–1816
60. Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах
    
    Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  546–549
61. Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением
    
    Квантовая электроника, 10:1 (1983),  186–189
62. Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди поперечным разрядом
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  191–193


63. Первый международный симпозиум по исследованию перспективных полупроводниковых приборов (ISDRS-91)
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1153–1155