Чалый Виктор Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1636–1640
2. Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III–N HEMT гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  94–97
3. Фоточувствительность структур с квантовыми ямами при нормальном падении излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  225–228
4. Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1460–1462
5. AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  81–87
6. Мощные высокостабильные лазерные диоды для накачки твердотельных лазеров
   
   Квантовая электроника, 25:9 (1998),  789–791
7. Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1069–1076
8. Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении
   
   Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108