|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC
Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 63–67
-
Механизм генерации заряда в МДП структурах через поверхностные
состояния
Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2050–2053
-
Механизм генерации заряда в МДП структуре
Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2013–2018
-
Влияние $\gamma$-облучения на генерацию носителей заряда в МДП
структурах на основе кремния
Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1888–1890
-
Измерение характеристик радиационных центров в кремнии, облученном
быстрыми электронами, методом импульсных токов, ограниченных объемным
зарядом
Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1851–1853
-
Мощный кварцевый плазмодинамический источник коротковолнового и вакуумного УФ излучения с яркостной температурой ~40 кK
Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1627–1636
-
Коротковолновая УФ фотолитография
на основе сильноточных плазмодинамических разрядов
магнитоплазменного компрессора
ЖТФ, 53:3 (1983), 601–603
© , 2026