Мезрин Олег Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1835–1840
2. Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  638–646
3. Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  508–516
4. Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2025–2034
5. Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1287–1290
6. Диффузия горячих фотоэлектронов в металл — эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  176–179
7. Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  129–132
8. Длинноволновый край спектральной зависимости фототока в гетеро-$p{-}n$-переходе
   
   Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2142–2148
9. Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  504–513
10. Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  494–499
11. Волна туннельной ионизации в полупроводниковых структурах
    
    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  476–481
12. Расчет энергетических уровней двумерного электронного газа в изотипном гетеропереходе
    
    Письма в ЖТФ, 13:1 (1987),  14–19
13. Теория $S$-образной вольтамперной характеристики в многослойной изотипной $n^{+}{-}n$-гетероструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1298–1301
14. Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1262–1270
15. Доминирующая роль горячих фотоносителей при расчете спектральной чувствительности фотопреобразователя
    
    Письма в ЖТФ, 12:14 (1986),  890–893
16. Квантовый эффект Холла в полуметаллических тонкопленочных структурах
    
    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2258–2263
17. Рекомбинация через глубокие уровни в гетеро-$p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2154–2162
18. Теория инжекции носителей в гетеро-$p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1991–1999
19. Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных $p{-}n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1589–1596
20. Емкость и распределение электрического поля в резкой асимметричной $p{-}n$-структуре с инверсионной прослойкой
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2166–2176
21. О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1256–1262
22. Ускорение электронов, образующихся при фокусировке лазерного излучения в газ
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1123–1128
23. О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3648–3654
24. Теория переходного процесса в структуре металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1656–1662
25. Модуляционные методики определения параметров связанных состояний в квантовом эффекте Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1217–1224
26. Изменение заряда в структуре металл–диэлектрик–полупроводник при изменении магнитного потока в условиях квантового эффекта Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1120–1122
27. К теории квантового эффекта Холла в структуре металл–диэлектрик–полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1073–1080
28. Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  305–311