Ремесник Владимир Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием
   
   Физика твердого тела, 67:5 (2025),  805–809
2. Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  22–27
3. Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe
   
   Физика твердого тела, 65:3 (2023),  411–414
4. Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs
   
   Физика твердого тела, 65:1 (2023),  56–62
5. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643
6. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1040–1044
7. Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения
   
   Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020),  1815–1820
8. Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308
9. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27
10. Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  554–559
11. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  788–792
12. Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
    
    ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150
13. Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1505–1509
14. Фотолюминесценция гетероструктур на основе Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  900–907
15. Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x\simeq0.2$)
    
    Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  310–317
16. Высокоэффективная фазовая запись голограмм на халькогенидных пленках в области повышенных температур
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1110–1112