Матвеенко Е В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Неохлаждаемые импульсные лазеры на сульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1517–1519
2. Полупроводниковый лазер с перестраиваемой длиной волны излучения на основе четверных соединений $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$
   
   Квантовая электроника, 7:3 (1980),  644–646
3. О механизмах генерации лазерного излучения в эпитаксиальном InAs при электронном возбуждении
   
   Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1401–1408
4. Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 5:1 (1978),  126–128
5. Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga_xIn_1–xAs, GaAs_xSb_1–x и Ga_xIn_1–xAs_1–yP_y
   
   Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2490–2494
6. Стимулированное излучение InAs при электронном возбуждении
   
   Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1601–1605
7. Исследование фотолюминесценции и параметров лазерного излучения при электронном возбуждении легированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As
   
   Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2602–2607