RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Шейнкман Моисей Кивович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Долговременные релаксации проводимости, обусловленные фотостимулированной диффузией кислорода по межзеренным границам в пленках сульфида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  95–101
  2. Стимулированные ультразвуком структурные изменения в напряженных гетеросистемах

    Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2340–2344
  3. Кинетика деградации красных AlGaAs светоизлучающих диодов

    ЖТФ, 61:2 (1991),  98–103
  4. Влияние отжига в парах собственных компонентов на поглощение света в области урбаховского края CdSe

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1946–1951
  5. Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1629–1633
  6. Влияние ультразвуковой обработки на экситонную и примесную люминесценцию CdTe

    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1243–1245
  7. Механизмы изменения электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te под действием ультразвука

    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  409–412
  8. Электрофизические характеристики низкопорогового ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной гетероструктурой, полученные НЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  4–8
  9. Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции зеленых GaP : N-светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1337–1348
  10. Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода

    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  388–390
  11. Емкостные характеристики зарощенных квантоворазмерных AlGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ

    Письма в ЖТФ, 16:15 (1990),  56–59
  12. Фотостимулированное преобразование EL2 люминесценции самокомпенсированного арсенида галлия

    Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  40–43
  13. Влияние ультразвука на точечные дефекты в структурах Si$-$SiO$_{2}$

    ЖТФ, 59:8 (1989),  131–134
  14. Новый «электронный» механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2232–2234
  15. Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1529–1538
  16. Эффект эмиссии Cd с поверхности кристаллов CdTe в процессе их деформации

    Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  16–18
  17. Исследование влияния ультразвуковой обработки на электрофизические параметры светоизлучающих двойных гетероструктур на основе GaAs$-$AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  28–34
  18. Спектральные характеристики светодиодов Au$-$ZnS

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1915–1918
  19. Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au$-$ZnS

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1651–1656
  20. Некоторые причины нестабильности свечения GaP : N светодиодов

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1710–1716
  21. Активационный характер оптического восстановления люминесценции ЕL 2 центров в арсениде галлия

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1067–1071
  22. Влияние ультразвукового нагружения на акустические и электрические характеристики CdS

    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1135–1140
  23. Особенности проводящих свойств сильно дефектных кристаллов $\beta$-(BEDT$-$TTF)$_{2}$I$_{3}$

    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  884–887
  24. Механизм фотостимулированной диссоциации ДА пар в кристаллах CdS и твердых растворах CdS$_{x}$Se$_{1-x}$

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  400–403
  25. Акустостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1310–1313
  26. Связь кинетики деградации $Ga\,P:N$, $Zn-O$ светодиодов с интенсивностью красной полосы свечения

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1221–1227
  27. Влияние ультразвуковой обработки на вольтамперные и шумовые характеристики туннельных диодов из $Ga\,As$

    Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  1009–1013
  28. Механизм стимулированного ультразвуком изменения фотоэлектрических и люминесцентных свойств сульфида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1861–1867
  29. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото- и термолюминесценции в монокристаллах GaP

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1791–1800
  30. Преобразование глубоких центров в процессе деградации GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих диодов

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  701–707
  31. Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области объемного заряда Au$-$ZnS-диодов

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  619–624
  32. Фотоиндуцированное изменение скорости звука в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1134–1137
  33. Стимулированное ультразвуком изменение электрических и люминесцентных характеристик $In\,Ga\,As:Si$ световодов

    Письма в ЖТФ, 12:2 (1986),  76–81
  34. Сложный центр вспышечной люминесценции в облученных электронами монокристаллах CdS

    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  1921–1928
  35. Поляризованная люминесценция глубоких центров в монокристаллах GaAs : Sn(Te)

    Физика твердого тела, 27:3 (1985),  748–756
  36. Оже-взаимодействие электронов с комплексами точечных центров в некоторых полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ II.  Сопоставление теории с экспериментом

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2139–2144
  37. Оже-взаимодействие электронов с комплексами точечных центров в некоторых полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ I.  Теория

    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2131–2138
  38. Квантовая диффузия дефектов в возбужденных состояниях

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1577–1584
  39. Ионизация ультразвуком глубоких центров в сульфиде цинка

    Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1315–1320
  40. Голографические решетки в кристаллах CdS:Cu с дифракционной эффективностью, зависящей от интенсивности считывающего пучка

    Квантовая электроника, 12:3 (1985),  603–605
  41. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений

    УФН, 147:3 (1985),  523–558
  42. Детальные механизмы электронных переходов краевого излучения в широкозонных соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1788–1794
  43. Механизм вспышки «красной» люминесценции в облученных электронами монокристаллах CdS

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  305–311
  44. Стимулированное ультразвуковыми колебаниями преобразование люминесцентных и акустических характеристик монокристаллов CdS

    Письма в ЖТФ, 10:20 (1984),  1243–1247
  45. Влияние магнитного поля на ход ионизационных процессов, обусловленных электронами верхних долин $c$-зоны в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2093–2095
  46. Новая серия краевого излучения CdS в электрическом поле

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2086–2088
  47. Излучательная и безызлучательная рекомбинация сульфида кадмия при низкотемпературной пластической деформации

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1835–1840
  48. Особенности отрицательных фотоэффектов в кристаллах TlGaSe$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1787–1790
  49. Особенности примесной люминесценции твердых растворов на основе селенидов и теллуридов кадмия

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1454–1458
  50. Два параллельных механизма захвата носителей на один рекомбинационный центр

    Докл. АН СССР, 167:4 (1966),  795–798
  51. Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью кинетики инфракрасного гашения фототока

    Докл. АН СССР, 161:6 (1965),  1310–1312
  52. О форме спектрального распределения фотопроводимости монокристаллов $\mathrm{CdS}$

    Докл. АН СССР, 114:6 (1957),  1203–1205

  53. О XX Международной конференции по физике полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1263–1273
  54. Памяти Вадима Евгеньевича Лашкарева

    УФН, 117:2 (1975),  377–378

© МИАН, 2026