Корсунская Н Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  112–119
2. Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  702–709
3. Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига
   
   Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  198–203
4. Исследование границы раздела слой–подложка в структурах Si–SiO$_2$–$p$-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс
   
   Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1224–1228
5. Природа излучения пористого кремния, полученного химическим травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  82–86
6. Влияние избыточного давления паров компонентов на ансамбль точечных дефектов в кристаллах CdS
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1054–1062
7. Влияние дислокаций, образованных лазерным облучением, на электрофизические и люминесцентные свойства $p$-CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  801–805
8. Распределение дефектов, образованных лазерным излучением в монокристаллах CdS
   
   Физика твердого тела, 27:3 (1985),  767–771
9. Эффект аккумуляции дефектов на поверхности полупроводника вследствие их дрейфа в поле приповерхностного изгиба зон
   
   Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  41–46
10. Голографические решетки в кристаллах CdS:Cu с дифракционной эффективностью, зависящей от интенсивности считывающего пучка
    
    Квантовая электроника, 12:3 (1985),  603–605
11. Влияние лазерного облучения на свойства монокристаллов твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Se
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1334–1338