RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Карпушин Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Электронная структура аморфного SiO$_{x}$ переменного состава

    Письма в ЖЭТФ, 108:2 (2018),  114–118
  2. Кремний-кремниевая Si–Si-связь как глубокая ловушка для электронов и дырок в нитриде кремния

    Письма в ЖЭТФ, 103:3 (2016),  189–193
  3. Сдвиг порога фотоэмиссии в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$

    Письма в ЖЭТФ, 99:6 (2014),  378–381
  4. Электронная структура SiN$_{x}$

    Письма в ЖЭТФ, 98:11 (2013),  801–805
  5. Адсорбция водорода на Si (111). Сравнение метода обобщенных решеток Бете и метода рекурсий

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1025–1028


© МИАН, 2026