Улин Владимир Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Золото на поверхности кристаллов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$: эффекты каталитической диссоциации и анизотропного внедрения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  414–422
2. Xимическое приготовление нанокластеров золота на поверхности GaP(001) и спектроскопия их анизотропных плазмонов
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  14–17
3. Предельная толщина стенок пор, формирующихся в процессах анодного травления сильнолегированных полупроводников
   
   ЖТФ, 93:2 (2023),  281–285
4. Обнаружение клиновидных нанокластеров золота на поверхности GaAs и их изучение с помощью поляризационной спектроскопии плазмонов
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  484–490
5. Влияние химической пассивации поверхности GaAs(001) на анизотропию и ориентацию образующихся на ней нанокластеров золота и их плазмонов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  613–617
6. Моноокись кремния, карбонизированная фторуглеродом, как композитный материал для анодов литий-ионных аккумуляторов
   
   ЖТФ, 91:9 (2021),  1381–1392
7. Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
   
   ЖТФ, 91:2 (2021),  367
8. Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  373–387
9. Взаимодействие фторуглерода с моноокисью кремния и процессы образования нанонитей SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  753–765
10. Влияние термообработки на свойства композитных кремний-углеродных анодов для литий-ионных аккумуляторов
    
    Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  14–18
11. Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1575–1584
12. Слабоупорядоченный наноструктурированный бисиликат серебра и его коллоидные растворы: получение и свойства
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  938–947
13. Карбонизация нанокристаллического кремния с помощью фторуглерода
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  29–32
14. Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP
    
    ЖТФ, 87:9 (2017),  1416–1422
15. Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  501–506
16. Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  481–496
17. Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)
    
    Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  39–48
18. Эпитаксиальные слои фторида никеля на Si(111): процессы роста и стабилизация орторомбической фазы
    
    Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1610–1615
19. Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок
    
    ЖТФ, 84:6 (2014),  92–97
20. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине
    
    ЖТФ, 84:1 (2014),  67–78
21. Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1243–1248
22. Органические светодиоды на основе пленок поливинилкарбазола, легированных полимерными наночастицами
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  617–621
23. Спектроскопия анизотропного отражения света от металлических нанокластеров, сформированных на поверхности полупроводника
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013),  687–692
24. Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1463–1467
25. Нитридная химическая паcсивация поверхности GaAs (100): влияние на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1637–1641
26. Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445
27. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе
    
    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
28. Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1058–1065
29. Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136
30. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
31. Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1438–1445