Берковиц Владимир Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Золото на поверхности кристаллов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$: эффекты каталитической диссоциации и анизотропного внедрения
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  414–422
2. Xимическое приготовление нанокластеров золота на поверхности GaP(001) и спектроскопия их анизотропных плазмонов
   
   Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  14–17
3. Обнаружение клиновидных нанокластеров золота на поверхности GaAs и их изучение с помощью поляризационной спектроскопии плазмонов
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  484–490
4. Влияние химической пассивации поверхности GaAs(001) на анизотропию и ориентацию образующихся на ней нанокластеров золота и их плазмонов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  613–617
5. Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  644–648
6. Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии
   
   ЖТФ, 85:5 (2015),  50–56
7. Спектроскопия анизотропного отражения света от металлических нанокластеров, сформированных на поверхности полупроводника
   
   Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013),  687–692
8. Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1463–1467
9. Структурное исследование тонких пленок фталоцианина меди методом спектроскопии анизотропного отражения
   
   Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  68–76
10. Нитридная химическая паcсивация поверхности GaAs (100): влияние на электрические характеристики поверхностно-барьерных структур Au/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1637–1641
11. Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1264–1268
12. Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1406–1413
13. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  379–384
14. Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1031–1037
15. Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  353–358
16. Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  66–71
17. Спектры оптических переходов между собственными электронными состояниями чистой поверхности (110) соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  433–436
18. Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  800–804
19. Оптическое обнаружение низкотемпературной физи- и хемисорбциии кислорода на чистой поверхности $Ga\,As (110)$
    
    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  709–713
20. Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников, обусловленная поверхностным изгибом зон
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1037–1041