Анисимов Андрей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Методы диагностики локальных напряжений/деформаций в алмазе при комнатной температуре на основе оптического детектирования магнитного резонанса N$V$-дефектов
   
   Письма в ЖТФ, 49:1 (2023),  43–46
2. Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  810–815
3. Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022),  763–769
4. Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022),  481–489
5. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
6. Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021),  533–540
7. Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:5 (2021),  323–327
8. Спектроскопия комбинационного рассеяния, инфракрасного поглощения и люминесценции нитрида алюминия, легированного бериллием
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  251–255
9. Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  813–819
10. Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1593–1596
11. Сканирующий оптический квантовый магнитометр, основанный на явлении выжигания провалов
    
    Письма в ЖТФ, 45:10 (2019),  22–26
12. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
    
    УФН, 189:8 (2019),  803–848
13. Физические основы применения сканирующего зонда со спиновыми центрами в SiC для субмикронного квантового зондирования магнитных полей и температур
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018),  643–649
14. Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1104–1106
15. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  34–41
16. Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  70–77
17. Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2319–2335
18. Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  83
19. Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  22–29
20. Методы диагностики ориентации NV дефектной структуры в алмазе на основе оптического детектирования магнитного резонанса с модуляцией магнитного поля
    
    Письма в ЖТФ, 41:12 (2015),  40–47
21. Temperature-scanned magnetic resonance and the evidence of two-way transfer of a nitrogen nuclear spin hyperfine interaction in coupled NV–N pairs in diamond
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  477–480
22. Влияние волны большой амплитуды на затухание слабой поверхностной магнитостатической волны
    
    Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1622–1628
23. Частотные зависимости затухания и порога нелинейности поверхностных спиновых волн в пленках
    
    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  2969–2974
24. Продольная накачка спиновых волн в EuO
    
    Физика твердого тела, 25:11 (1983),  3498–3500