|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Толстопленочные ВТСП магнитные экраны для фотоэлектроники
Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 78–81
-
ВТСП ограничительное сопротивление для фотоэлектроники
Письма в ЖТФ, 16:23 (1990), 9–12
-
«Гигантские» переключения напряжения в поликристаллческих
пленках ВТСП
Письма в ЖТФ, 16:18 (1990), 15–17
-
Инжекционный лазер с отражателем в виде двух совмещенных дифракционных решеток
Квантовая электроника, 14:7 (1987), 1517–1520
-
Определение оптической эффективной массы дырок в германии
интерференционным методом
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 585–588
-
Оптическое пропускание и отражение паза с зеркальными стенками в полупроводниковом волноводе
Квантовая электроника, 12:1 (1985), 149–151
-
О генерации в монокристаллах окиси цинка, возбуждаемых электронным пучком при азотной и комнатной температурах
Квантовая электроника, 11:2 (1984), 422–423
-
Исследование методом двойного ИК резонанса перехода 2ν3–ν3 молекул SF6, переохлажденных в сверхзвуковом потоке
Квантовая электроника, 11:2 (1984), 371–375
-
Эксперименты по кристаллизации твердых растворов $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ в условиях невесомости на борту орбитальной станции “Салют-6”
Докл. АН СССР, 273:6 (1983), 1380–1382
-
Лазерный отжиг полупроводниковых соединений $\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$
Докл. АН СССР, 268:3 (1983), 594–597
-
Температурная зависимость фототока в времени релаксации
фотопроводимости монотеллурида галлия
Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 176–179
-
Размер области чувствительности и распределение фототока в интегрально-оптическом приемнике со связанными волноводами
Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1273–1275
-
Объемные волноводные резонаторы для УФ области спектра
Квантовая электроника, 10:4 (1983), 880–883
-
Лазер с электронной накачкой в УФ области спектра
Квантовая электроника, 7:2 (1980), 378–382
-
Электронно-лучевой ультрафиолетовый полупроводниковый лазер
Квантовая электроника, 6:9 (1979), 2045–2046
-
Компактный лазерный инфракрасный излучатель на основе автоэмиссионной электронной трубки
Квантовая электроника, 5:9 (1978), 2049–2052
-
О некоторых особенностях генерации когерентного излучения в узкозонных полупроводниках
Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1368–1370
-
Полупроводниковый лазер с электронной накачкой с плавной перестройкой длины волны излучения
Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2038–2039
-
Излучение двойных гетероструктур PbTe–Pb1–xSnxTe–PbTe
Квантовая электроника, 4:2 (1977), 428–429
-
Новые оптические схемы полупроводниковых лазеров
Докл. АН СССР, 230:5 (1976), 1081–1084
-
Люминесцентные свойства фосфидов кадмия и цинка
Квантовая электроника, 3:2 (1976), 316–320
-
Гетеролазер на PbSnTe–PbTe с длиной волны 10 мкм
Квантовая электроника, 2:9 (1975), 2084–2086
-
Временные характеристики в лазерах с двойным гетеропереходом
Квантовая электроника, 1:1 (1974), 191–193
-
Гетеродинный прием оптических сигналов на волне 10,6 мкм
Квантовая электроника, 1973, № 4(16), 86–91
-
Применение полупроводниковых лазеров в малогабаритных линиях связи
Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 101–103
-
Стимулированное излучение твердых растворов халькогенидов олова и свинца в области 10 мкм
Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 97–99
-
Фотоэлектрические полупроводниковые приемники и новые методы приема излучения оптического диапазона
УФН, 108:3 (1972), 601–603
-
Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур
Квантовая электроника, 1971, № 6, 110–112
-
Генерация когерентного излучения в образцах арсенида галлия при электронном возбуждении
Докл. АН СССР, 165:2 (1965), 303–304
-
Непрерывная работа инжекционного ОКГ на $\mathrm{GaAs}$ при охлаждении потоком газообразного гелия
Докл. АН СССР, 164:1 (1965), 78–79
-
Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича
УФН, 154:2 (1988), 335–336
-
Памяти Бенциона Моисеевича Вула
УФН, 149:2 (1986), 349–350
© , 2026