Шастин Валерий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Многофононная релаксация триплета 1$s(T_2)$ нейтральных доноров магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  7–13
2. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
3. Оптическое возбуждение спин-триплетных состояний двухэлектронных доноров в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  327–331
4. Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  401–405
5. Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145
6. Фотонное эхо в германии с мелкими донорами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  728–733
7. Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  901–907
8. Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  807–812
9. Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149
10. Электронные состояния доноров V группы в германии: вариационный расчет с учетом короткодействующего потенциала
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  938–944
11. Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  918–921
12. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
13. О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  807–811
14. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
15. Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1372–1377
16. Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288
17. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
18. Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1469–1476
19. Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560
20. Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705
21. Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1479–1483
22. Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23
23. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
24. Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии
    
    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120
25. Стимулированное излучение на примесно-зонных оптических переходах в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  105–112
26. Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция кремния с литием при межзонном возбуждении
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  876–880
27. Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1044–1049
28. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205
29. Перестраиваемый узкополосный лазер на межподзонных переходах горячих дырок германия
    
    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  142–148
30. Перестройка спектра излучения лазера на $p$-Ge при одноосной деформации
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2151–2154
31. Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1616–1617
32. Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок $p$-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1728–1736
33. Тонкая структура спектра стимулированного длинноволнового ИК излучения $p$-Ge в сильных $\mathbf{E}$ и $\mathbf{H}$ полях
    
    ЖТФ, 57:9 (1987),  1847–1850
34. Направленное стимулированное излучение лазера на горячих дырках $Ge$
    
    Письма в ЖТФ, 13:2 (1987),  65–68
35. Длинноволновый ИК лазер на горячих дырках в германии
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  702–704
36. Перестраиваемый лазер длинноволнового ИК излучения на горячих дырках германия
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  1000–1004
37. Фотонамагничивание магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3706–3708
38. Наблюдение инверсии дырок в $\mathrm{G}$ в скрещенных $E$- и $H$-полях по спонтанному длинноволновому ИК излучению
    
    Докл. АН СССР, 267:2 (1982),  339–343