Ершов Алексей Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
2. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  723–727
3. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
4. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
5. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
6. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
7. Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу
   
   Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1183–1191
8. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 59:5 (2017),  965–971
9. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  363–366
10. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
11. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  421–425
12. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  44–48
13. Синхротронные исследования формирования нанокластеров кремния в многослойных наноструктурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1327–1334
14. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  460–465
15. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  370–377
16. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO$_2$ и Al$_2$O$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:2 (2012),  347–359
17. Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  747–753
18. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  57–61
19. Формирование и “белая” фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO$_x$, имплантированных ионами углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1498–1503
20. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами
    
    Квантовая электроника, 26:3 (1999),  217–218
21. Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  622–624
22. Электрические и оптические свойства полупроводника $a$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1288–1291