Ахлестина Светлана Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1494–1497
2. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
   
   Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  81–87
3. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами
   
   Квантовая электроника, 26:3 (1999),  217–218
4. Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью
   
   Квантовая электроника, 23:8 (1996),  701–703