RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Портной Ефим Лазаревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Генерация пикосекундных импульсов лазерами с распределенной обратной связью с длиной волны 1064 nm

    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  12–15
  2. Режимы излучения двухсекционных лазеров спектрального диапазона 1.06 $\mu$m с активной областью на основе квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  30–39
  3. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям

    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
  4. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка

    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
  5. Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1379–1385
  6. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности

    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  30–36
  7. Ширина линии радиочастотного спектра в лазерах на квантовой яме с пассивной синхронизацией мод

    Письма в ЖТФ, 39:3 (2013),  41–48
  8. Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  96–102
  9. Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод

    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  31–39
  10. Синхронизация мод на высших гармониках в лазерах на квантовых точках с туннельно-связанными волноводами

    Письма в ЖТФ, 38:2 (2012),  25–31
  11. Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1095–1101
  12. Пассивная синхронизация мод в лазерах на сверхрешетке из квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  31–36
  13. Особенности синхронизации мод в лазерах с квантовой ямой в широком волноводном слое

    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  29–36
  14. Генерация пикосекундных (${\tau=1.7}$ пс) импульсов излучения в InGaAsP/InP (${\lambda=1.535}$ мкм) гетеролазере со сверхбыстрым насыщающимся поглотителем

    Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  38–41
  15. Кросскорреляционные измерения временных параметров оптических сигналов с помощью пикосекундного полупроводникового лазера

    Письма в ЖТФ, 17:18 (1991),  1–4
  16. Влияние нелинейного усиления на характеристики режима модуляции добротности в полупроводниковых лазерах с быстрым насыщающимся поглотителем

    Письма в ЖТФ, 17:11 (1991),  49–54
  17. Скоростные свойства InGaAsP/InP ($\lambda=1.55$ мкм) РОС-лазеров с коротковолновой расслойкой

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  61–65
  18. Бесконтактное электрооптическое измерение сверхкоротких электрических сигналов при помощи пикосекундного полупроводникового лазера

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  84–89
  19. Особенности заращивания профилированной поверхности волновода в InGaAsP/InP лазерах с РОС

    Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  5–9
  20. Время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, облученном протонами

    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  89–93
  21. Электрооптическое стробирование при помощи пикосекундного инжекционного лазера

    Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  29–33
  22. Пространственные характеристики излучения AlGaAs-гетеролазеров с токовым ограничением в режиме внутренней модуляции добротности

    Письма в ЖТФ, 15:21 (1989),  81–86
  23. Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  47–51
  24. Генерация и стробирование пикосекундных электрических импульсов устройством, основанным на использовании полупроводникового лазера

    Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  72–75
  25. Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией добротности

    Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  6–9
  26. Характеристики гетеролазеров с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов

    Письма в ЖТФ, 15:11 (1989),  44–48
  27. Внутренняя генерация второй гармоники в InGaAsP/InP ($\lambda= 1.55$ мкм) лазерах с раздельным ограничением

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  67–72
  28. Динамика излучения гетеролазера с насыщающимся поглотителем, полученным глубокой имплантацией ионов кислорода

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1208–1212
  29. Время жизни неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs, облученном ионами кислорода

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  352–354
  30. Поглощение света в тонких пленках GaAs, имплантированных ионами азота и кислорода высокой энергии

    Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1870–1875
  31. РОС — генерация в InGaAsP/InP ($\lambda=1. 5{-}1.6$ мкм) лазерах с составным активным слоем

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1082–1088
  32. Особенности генерации в InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  267–273
  33. Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)

    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2196–2198
  34. Излучательные характеристики лазерных и суперлюминесцентных диодов с градиентным волноводом

    ЖТФ, 57:5 (1987),  913–917
  35. Гетероэпитаксиальные волноводы $Al_{x}\,Ga_{1-x}\,P$ с параболическим профилем показателя преломления для гибридных интегрально-оптических систем

    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1098–1103
  36. Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью

    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  601–604
  37. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
  38. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146
  39. Влияние условий выращивания на параметры многоволновых ДГС лазеров

    ЖТФ, 56:6 (1986),  1142–1149
  40. Жидкостная эпитаксия, контролируемая изменением температуры и тока (ЖЭКИТТ)

    ЖТФ, 56:2 (1986),  353–360
  41. Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слабо легированным гетеропереходом

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2061–2064
  42. Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1222–1226
  43. Генерация пикосекундных импульсов в инжекционных гетеролазерах с модулированной добротностью

    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1093–1098
  44. Показатель преломления твердых растворов $Ga\,In\,As\,P$ на длине волны лазерной генерации

    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  827–831
  45. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
  46. Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  296–300
  47. Исследование температурной стабильности спектральных полос распределенного отражения в монолитно-гибридном брэгговском гетеролазере

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  268–274
  48. Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  205–210
  49. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом

    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
  50. Многоволновые лазерные излучатели на основе твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

    ЖТФ, 55:10 (1985),  1962–1966
  51. Дисперсия показателей преломления и радиочастоные спектры межмодовых биений гетеролазера во внешнем дисперсионном резонаторе

    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1362–1365
  52. Фазовые особенности отражения света брэгговским зеркалом, обусловленные скачком диэлектрической проницаемости на его границе

    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  989–993
  53. Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы

    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968
  54. Спектральные и временные характеристики излучения монолитно-гибридных гетеролазеров с брэгговским зеркалом

    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  606–611
  55. Исследование инжекционного брэгговского гетеролазера с высокой температурной стабильностью длины волны излучения

    Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  524–530
  56. Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197
  57. Оптическая коммутация высокочастотного сигнала излучениемполупроводникового лазера

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  53–56
  58. Диффузионный перенос вещества в кристаллизующихся многокомпонентных растворах–расплавах

    ЖТФ, 54:10 (1984),  2004–2010
  59. Концентрирующие голографические дифракционные решетки II. Экспериментальные результаты

    ЖТФ, 54:10 (1984),  1948–1955
  60. Концентрирующие топографические дифракционные решетки I. Теория

    ЖТФ, 54:10 (1984),  1942–1947
  61. О спектральной зависимости коэффициента отражения брэгговского зеркала

    Письма в ЖТФ, 10:15 (1984),  945–949
  62. Исследование пикосекундной фотопроводимости в полуизолирующем InP при низких уровнях оптического возбуждения

    Письма в ЖТФ, 10:6 (1984),  342–345
  63. Влияние относительного спектрального положения полосы усиления и линии генерации на динамику излучения гетеролазера с брэгговскими зеркалами

    Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  133–138
  64. Особенности поляризации когерентного излучения, генерируемого в многослойных гетероструктурах

    ЖТФ, 53:9 (1983),  1843–1845
  65. Поляризационные эффекты в гетеролазерах с распределенной обратной связью

    ЖТФ, 53:8 (1983),  1560–1567
  66. К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2224–2228
  67. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  235–241
  68. О возможностях метода фотолюминесценции в исследовании лазерной аморфизации арсенида галлия

    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1298–1301
  69. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом

    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
  70. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1047–1050
  71. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью и накачкой инжекционным гетеролазером

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1043–1046
  72. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига

    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853
  73. Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурной стабильностью длины волны излучения

    Письма в ЖТФ, 9:8 (1983),  456–460

© МИАН, 2026