Долгинов Л М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм
   
   Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2171–2172
2. Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)
   
   Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120
3. Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1309–1311
4. Оптические свойства Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$
   
   Физика твердого тела, 26:1 (1984),  145–150
5. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)
   
   ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
6. Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см² при 300 K
   
   Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646
7. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
   
   Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
8. О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP
   
   Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904
9. Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм
   
   Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749
10. О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1994–1996
11. Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1990–1992
12. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96
13. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489
14. Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  703–704
15. Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  126–128
16. Многокомпонентные твердые растворы соединений A^IVB^VI
    
    Квантовая электроника, 4:4 (1977),  904–907
17. Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga_xIn_1–xAs, GaAs_xSb_1–x и Ga_xIn_1–xAs_1–yP_y
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2490–2494
18. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)
    
    Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1381–1393
19. Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al_xGa_1–xAs
    
    Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1080–1084
20. Люминесценция и лазерный эффект в Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y
    
    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  932–934
21. Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм
    
    Квантовая электроника, 3:2 (1976),  465–466
22. Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga_xIn_1–xAs_yP_1–y и Al_xGa_1–xSb_yAs_1–y
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295
23. Параметры лазеров на Al_xGa_1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  178–180


24. Лозовский В. Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 233 с.
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1334–1335