RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Файзуллов Ф С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оптические покрытия для мощных неодимовых лазеров

    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2051–2058
  2. Получение полимерных покрытий в плазме электроионизационного разряда

    ЖТФ, 57:4 (1987),  669–674
  3. Влияние примесей Ca и Pb на объемную лучевую прочность особочистых кристаллов NaCl и KCl

    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1181–1184
  4. Энергетические характеристики двухпроходового CO2-усилителя

    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1589–1594
  5. Измерение параметров нелинейного отклика жидкостей в области акустического резонанса методом невырожденного четырехволнового взаимодействия

    Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1328–1335
  6. Синтез полифосфонитридов в плазме разряда, инициируемого электронным пучком

    ЖТФ, 55:11 (1985),  2259–2262
  7. О качестве ОВФ многочастотного излучения при четырехволновом взаимодействии

    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  186–189
  8. Нелинейное рассеяние на 10,6 мкм в волоконном световоде из КРС-5

    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1513–1514
  9. Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного CO2-лазера

    Квантовая электроника, 11:5 (1984),  989–993
  10. Коэффициенты усиления ВРМБ и времена затухания гиперзвуковых волн в оптических кристаллах на 10,6 мкм

    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  168–171
  11. Вклад теплового механизма в отражение при вырожденном четырехволновом взаимодействии в полупроводниках

    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  85–90
  12. Точность отражения назад при квазивырожденном четырехволновом взаимодействии

    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1899–1902
  13. Динамический диапазон отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных средах на 10,6 мкм

    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1276–1278
  14. Влияние параметров оптической обработки и процесса естественного старения на глубину нарушенного слоя и лучевую прочность поверхности монокристаллов КСl

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1912–1915
  15. Отражение многочастотного сигнала при четырехволновом взаимодействии в германии на 10,6 мкм

    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  860–864
  16. Измерение поглощения и толщины эквивалентного слоя адсорбированной воды на поверхности NaCl

    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1100–1102
  17. Динамика развития пробоя вблизи поверхности элементов ИК оптики в газовой среде

    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1605–1608
  18. Тепловая самофокусировка лазерного пучка, обладающего пространственной и временной неоднородностью

    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1119–1123
  19. Исследование стойкости кристаллов КРС-6 и КРС-5 к воздействию излучения импульсного CO2-лазера

    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1043–1047
  20. Фотографическая регистрация спектра излучения моноимпульсного CO2-лазера при параметрическом преобразовании на кристалле прустита

    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  128–131
  21. Электроионизационный синтез азотсодержащих соединений

    Докл. АН СССР, 233:5 (1977),  839–841
  22. Роль многофотонной и ударной ионизации при пробое диэлектриков пикосекундными лазерными импульсами

    Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1144–1147
  23. Влияние адсорбированной воды на лучевую стойкость элементов ИК оптики

    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  587–595
  24. Влияние коротковолнового поглощения на порог объемного разрушения кристаллов излучением импульсного CO2-лазера

    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  455–457

  25. Виталий Сергеевич Зуев (к пятидесятилетию со дня рождения)

    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1520
  26. Николай Геннадиевич Басов (к шестидесятилетию со дня рождения)

    Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2547–2549


© МИАН, 2026