RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Таленский Олег Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Экситонное поглощение твердых растворов CdS$_{1-x}$Se$_{x}$

    Физика твердого тела, 31:1 (1989),  84–88
  2. Абсорбционная нелинейная спектроскопия монокристаллов CdSe

    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1915–1918
  3. Возникновение периодических неоднородностей показателя преломления в начальной стадии деградации лазеров на пластинчатых монокристаллах полупроводникового типа А2В6

    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  963–965
  4. Движение дислокаций в CdS, стимулированное лазерным излучением

    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1209–1211
  5. Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия

    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2109–2110
  6. Полупроводниковый лазер на волноводной структуре ZnSe–ZnS с возбуждением электронным пучком

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  682–684
  7. Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации равновесных носителей тока

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  642–646
  8. Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs

    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  211–214
  9. Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур

    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2007–2009
  10. Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs

    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1815–1816
  11. Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия

    Квантовая электроника, 4:6 (1977),  1357–1359
  12. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSe1–x, ZnSe

    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354


© МИАН, 2026