|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Экситонное поглощение твердых растворов CdS$_{1-x}$Se$_{x}$
Физика твердого тела, 31:1 (1989), 84–88
-
Абсорбционная нелинейная спектроскопия монокристаллов CdSe
Квантовая электроника, 15:9 (1988), 1915–1918
-
Возникновение периодических неоднородностей показателя преломления в начальной стадии деградации лазеров на пластинчатых монокристаллах полупроводникового типа А2В6
Квантовая электроника, 15:5 (1988), 963–965
-
Движение дислокаций в CdS, стимулированное лазерным излучением
Физика твердого тела, 29:4 (1987), 1209–1211
-
Лазерный отжиг кристаллов сульфида кадмия
Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2109–2110
-
Полупроводниковый лазер на волноводной структуре ZnSe–ZnS с возбуждением электронным пучком
Квантовая электроника, 5:3 (1978), 682–684
-
Исследование зависимости излучательных свойств монокристаллов сульфида кадмия от концентрации
равновесных носителей тока
Квантовая электроника, 5:3 (1978), 642–646
-
Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs
Квантовая электроника, 5:1 (1978), 211–214
-
Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур
Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2007–2009
-
Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs
Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1815–1816
-
Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия
Квантовая электроника, 4:6 (1977), 1357–1359
-
Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSe1–x, ZnSe
Квантовая электроника, 4:2 (1977), 351–354
© , 2026