Осипов В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Характеристики объемного разряда, возбуждаемого пакетом импульсов с частотой до 100 кГц
   
   ЖТФ, 62:3 (1992),  58–62
2. Образование пульсирующих термодиффузионных автосолитонов и турбулентности в неравновесной электронно-дырочной плазме
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1696–1703
3. Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1209–1216
4. Химико-ионизационная неустойчивость объемного разряда в квазистабильных CO$_{2}$ средах
   
   ЖТФ, 60:10 (1990),  27–36
5. Шумы и отношение сигнала к шуму лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
   
   ЖТФ, 60:6 (1990),  121–127
6. Влияние импульсных электрических и магнитных полей на магнитостатические волны в магнитном полупроводнике HgCr$_{2}$Se$_{4}$
   
   ЖТФ, 60:3 (1990),  113–117
7. Сложного вида автосолитоны в полупроводниковой и газовой плазме
   
   ЖТФ, 60:2 (1990),  8–13
8. Возбуждение и эволюция микроплазм — пичковых автосолитонов в кремниевых $p{-}i{-}n$-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1705–1707
9. Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных $p{-}n$-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1282–1290
10. Микроплазмы в идеально однородных $p{-}i{-}n$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  724–730
11. Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  497–502
12. Туннельные токи в лавинных гетерофотодиодах
    
    ЖТФ, 59:1 (1989),  80–91
13. Флуктуация поперечного тока в легированной сверхрешетке
    
    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1741–1746
14. Расслоение инжектированной электронно-дырочной плазмы высокой плотности в пленках арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1378–1381
15. Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1148–1155
16. К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  809–812
17. К теории вертикального ЛСР фоторезистора
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  536–541
18. Контракция объемного разряда в импульсных $\mathrm{CO}_2$-лазерах с квазистабильной средой
    
    Докл. АН СССР, 303:4 (1988),  850–852
19. Поперечная фотопроводимость легированной сверхрешетки
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2131–2137
20. Свойства автосолитонов в «плотной» электронно-дырочной плазме
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2051–2058
21. Пульсирующие автосолитоны в разогретой в процессе оже-рекомбинации электронно-дырочной плазме
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1836–1842
22. Малогабаритный CO₂-лазер с высокой частотой следования импульсов
    
    Квантовая электроника, 15:6 (1988),  1256–1260
23. Компактный электроионизационный CO₂-лазер, автономно работающий в импульсно-периодическом режиме
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  465–470
24. Фотопроводимость и аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках PbSe
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2230–2232
25. О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2159–2163
26. Напряжение лавинного пробоя тонкого диода
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2078–2081
27. Исследование внутренней структуры фоточувствительных поликристаллических пленок сульфида свинца с помощью вакуумного прогрева
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  989–995
28. О механизме избыточных токов в $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1739–1742
29. Спонтанное образование локальных областей ударной ионизации в однородных полупроводниках в слабых электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1195–1198
30. О фотоэлектрическом усилении в биполярных фотопроводниках с поверхностными состояниями
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1122–1124
31. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS II. Фотопроводимость, сравнение с экспериментом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  66–72
32. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS I. Модель, проводимость и эффект Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  59–65
33. Образование сгустков электронно-дырочной плазмы, разогретой электрическим полем
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1871–1874
34. Теория фотоэмиссии при примесном поглощении света
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1615–1617
35. К теории эффекта Холла в поликристаллических пленках сернистого свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2235–2237
36. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  359–362
37. Лазер на R6G с катодолюминесцентной накачкой
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1670–1671
38. Спектр межзонной люминесценции невырожденного прямозонного полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1752–1756
39. Сверхпуассоновские шумы в обратно смещенных $p{-}n$-переходах
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  269–275
40. Характеристики CO$_2$-лазерных сред с высоким уровнем накачки
    
    Прикл. мех. техн. физ., 23:2 (1982),  10–17
41. Инициирование мощного несамостоятельного объемного разряда в молекулярных газах ультрафиолетовым излучением от плазменного катода
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1718–1721
42. Усиление плавно перестраиваемых по частоте сигналов в CO₂-усилителях высокого давления
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  389–391
43. Динамические характеристики оптико-механических датчиков скорости прозрачных сред
    
    ТВТ, 18:2 (1980),  387–393
44. Увеличение длительности импульса излучения в секционированном CO₂-лазере с последовательным возбуждением рабочей среды
    
    Квантовая электроника, 6:2 (1979),  417–421
45. Мощный импульсный CO₂-лазер с широким диапазоном плавной перестройки частоты излучения
    
    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1525–1529
46. Особенности работы электроионизационного CO₂-лазера в диапазоне давлений 1–10 атм
    
    Квантовая электроника, 4:11 (1977),  2435–2441
47. Влияние параметров разрядного контура на режим ввода энергии в газ при самостоятельном разряде
    
    Прикл. мех. техн. физ., 17:2 (1976),  42–46
48. Влияние параметров активной среды на энергию излучения электроразрядного CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1558–1563
49. Оптико-механический анемометр
    
    ТВТ, 14:4 (1976),  834–840
50. Импульсный лазер на двуокиси углерода с энергией излучения 15 Дж
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1256–1258
51. Импульсный лазер на двуокиси углерода, возбуждаемый по методу двойного разряда
    
    Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  122–124