|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Нестандартные особенности взаимодействия одиночных люминесцентных центров, сформированных ядрами частичных дислокаций в CdTe и ZnSe, с продольными оптическими фононами
Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021), 96–101
-
Излучательные $d$–$d$-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 335–338
-
Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te вблизи края собственного поглощения
Физика твердого тела, 58:5 (2016), 950–960
-
Формирование и реконструкция наноостровков Se на поверхности тонких эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных на подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 700–705
-
Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se, размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 9–16
-
Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 308–314
-
Исследования комплексных акцепторов в CdTe:Cl
методом разностной спектроскопии
Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013), 504–507
-
Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях
Физика твердого тела, 53:8 (2011), 1479–1487
-
Фотолюминесценция CdTe, выращенного при значительном отклонении от термодинамического равновесия
Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 908–915
-
Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe
Физика твердого тела, 52:1 (2010), 37–42
© , 2026