Антипенко Борис Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гольмиевые лазеры на кристаллах ИАГ и ИСГГ в импульсно-периодическом режиме генерации
   
   Квантовая электроника, 20:12 (1993),  1149–1151
2. 2.7-микронный четырехуровневый лазер на кристаллах Y$_{3}$Al$_{5}$O$_{12}$ : Cr, Tm$-$Er
   
   Письма в ЖТФ, 16:12 (1990),  76–80
3. Туллиевый лазер
   
   Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  80–83
4. Импульсно-периодический гольмиевый лазер для медицинских целей
   
   Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2349–2351
5. Физика энергонакопления в активной среде BaEr₂F₈:Tm, Ho
   
   Квантовая электроника, 15:6 (1988),  1277–1281
6. Антистоксово преобразование излучения неодимового лазера на основе кооперативных процессов
   
   ЖТФ, 57:2 (1987),  349–350
7. Спектроскопия и генерационные характеристики кристаллов BaEr₂F₈:Tm+Ho
   
   Квантовая электроника, 14:4 (1987),  677–681
8. Активная среда для лазеров двухмикронного диапазона спектра на основе кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната
   
   Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1521–1523
9. Оптимизация лазерной среды BaYb₂F₈:Er
   
   Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1155–1160
10. Влияние суммирования возбуждений на эффективность генерации сенсибилизированных сред
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  980–988
11. $2.12$ мкм Но : ИАГ лазер
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  682–685
12. Теплофизика активной среды BaEr₂F₈: [Tm + Ho]
    
    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1078–1081
13. Кросс-релаксационные схемы накачки лазерных переходов
    
    ЖТФ, 54:2 (1984),  385–388
14. Лазер на BaEr$_{2}$F$_{8}$ : Tm + Ho, работающий по кросс-релаксационной схеме
    
    Письма в ЖТФ, 10:9 (1984),  513–517
15. Редкоземельный лазер двухмикронного диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  526–529
16. Квазинепрерывная генерация LiYF₄:Er+Pr на 0,85 мкм
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1874–1877
17. Новый лазерный переход иона Tm³⁺
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  889–892
18. Механизм ступенчатой сенсибилизации лазерных ⁴F_9/2→⁴I_11/2 и ⁴F_9/2→⁴I_13/2-переходов иона Er³⁺ в кристалле BaYb₂F₈
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1614–1619
19. Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1018–1026
20. Лазерный переизлучатель на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$; трехмикронный канал генерации
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2019–2022
21. Трехмикронная генерация на ионах $Dy^{3+}$
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  983–987
22. $LiYbF_4:Ho^{3+}$ как активная среда для лазерного конвертора
    
    Квантовая электроника, 7:3 (1980),  647–649
23. Лазерный конвертор на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$. Двухмикронный канал генерации
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  197–199
24. Влияние молекулярного вращения на динамику и кинетику колебательно-поступательного переноса энергии
    
    ТВТ, 16:5 (1978),  1097–1099
25. Перестройка частоты излучения неодимового лазера методом резонансной накачки кристаллов ИАГ, активированных ионами Tm³⁺ и Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1121–1123