Полторацкий Эдуард Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вакуумный эмиссионный триод на основе умножителя-концентратора электронов
   
   Письма в ЖТФ, 36:20 (2010),  15–20
2. Каталитический рост наноструктур из углеродосодержащих подложек: свойства и модельные представления
   
   Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  48–53
3. Умножитель-концентратор электронов для автоэмиссионной интегральной электроники
   
   Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  44–51
4. Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  794–800
5. Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе $\delta$-легированных структур
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1870–1876
6. Температурная зависимость эффекта управления транзистором через полуизолирующую подложку в интегральных схемах на арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1667–1670
7. Влияние свойств барьера Шоттки на частотную дисперсию крутизны полевого транзистора с барьером Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 17:14 (1991),  78–80
8. О механизмах паразитного управления по подложке в GaAs ПТШ
   
   Письма в ЖТФ, 17:14 (1991),  36–38
9. Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2111–2116
10. Об оптимальном самосжатии многосолитонных импульсов в оптическом волокне
    
    Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1925–1930
11. Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом
    
    ЖТФ, 56:11 (1986),  2245–2247
12. Модуляция ОПЗ в структурах изолятор–полупроводник, полученных в системе GaAs$-$AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1782–1786
13. Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1565–1571
14. Захват носителей в структурах изолятор–полупроводник, полученных МОС гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  757–759
15. Электрофизические свойства изолирующих слоев твердого раствора Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As, полученных МОС гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  594–602
16. Полевой транзистор с изолированным затвором
    
    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  420–422
17. Распространение света в прямоугольных активных волноводах
    
    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  945–950
18. Распространение света в активных связанных волноводах
    
    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  941–945