RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Павлов Сергей Геннадьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe

    Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178
  2. Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471
  3. Thermal activation of valley-orbit states of neutral magnesium in silicon

    Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  500
  4. Оптические сечения поглощения и силы осцилляторов двойного донора магния в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  299–303
  5. Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149
  6. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
  7. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии

    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
  8. Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288
  9. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
  10. Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge

    Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560
  11. Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705
  12. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
  13. Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии

    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120
  14. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205
  15. Перестраиваемый узкополосный лазер на межподзонных переходах горячих дырок германия

    Квантовая электроника, 20:2 (1993),  142–148
  16. Внешняя брэгговская селекция в полупроводниковом лазере на горячих дырках в германии

    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1303–1305


© МИАН, 2026