|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Измерение разрешающей способности лазерных электронно-лучевых трубок — квантоскопов
Квантовая электроника, 25:4 (1998), 381–384
-
О разрешающей способности лазерных электронно-лучевых трубок — квантоскопов
Квантовая электроника, 23:2 (1996), 161–166
-
Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 21:12 (1994), 1113–1136
-
О пределах применимости модели однородно-уширенной линии генерации на основе CdS
Квантовая электроника, 17:7 (1990), 887–888
-
Лазерный эффект в соединениях PbSSe при продольной накачке электронным пучком
Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2020–2022
-
Неаксиальные типы колебаний в полупроводниковых лазерах с продольной накачкой
Квантовая электроника, 16:9 (1989), 1775–1780
-
Особенности развития генерации в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой
Квантовая электроника, 15:12 (1988), 2504–2507
-
Импульсно-периодический режим работы многоэлементного полупроводникового лазера с электронным возбуждением
Квантовая электроника, 15:10 (1988), 2015–2018
-
Варизонная гетероструктура на основе $Al_xOa_{1-x}As$ для лазера с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 14:9 (1987), 1809–1811
-
О неоднородном уширении линии излучения в полупроводниковых лазерах
Квантовая электроника, 14:5 (1987), 1096–1098
-
Импульсно-периодический полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 14:3 (1987), 605–607
-
Лазеры на красителях с накачкой излучением мощных полупроводниковых лазеров
Квантовая электроника, 14:1 (1987), 218–220
-
О влиянии продольной неоднородности возбуждения на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2373–2377
-
Электронно-лучевая и оптическая стойкость полупроводников при импульсном возбуждении пучком электронов высокой интенсивности
Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2132–2135
-
Импульсный неохлаждаемый полупроводниковый лазер на окиси цинка
Письма в ЖТФ, 11:3 (1985), 136–140
-
Импульсный многоэлементный полупроводниковый лазер с неустойчивым резонатором
Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1519–1521
-
Неохлаждаемые импульсные лазеры на сульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1517–1519
-
Порог генерации и расходимость излучения полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 12:4 (1985), 848–851
-
Исследование закономерностей формирования изображения в лазерном растровом микроскопе
Квантовая электроника, 11:5 (1984), 998–1003
-
Влияние глубоких примесных уровней на пороговые характеристики лазеров на основе
$n$-Ga$_{1-x}$Al$_x$As с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 11:4 (1984), 833–835
-
О распределении плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 10:11 (1983), 2236–2246
-
Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений
Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1007–1009
-
Исследование профиля показателя преломления в многослойных лазерных гетероструктурах на основе Ga1–xAlxAs
Квантовая электроника, 10:2 (1983), 426–427
-
Многоэлементный полупроводниковый лазер видимого диапазона с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1732–1733
-
Транспортировка интенсивного электронного пучка в нейтральных газах
Квантовая электроника, 9:2 (1982), 234–247
-
Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком, работающий при низких ускоряющих напряжениях
Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1128–1131
-
Управление излучением инжекционных источников света с помощью электронного пучка
Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1126–1128
-
Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1124–1126
-
Влияние легирования Ga0,68Al0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 8:1 (1981), 201–204
-
О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1447–1450
-
Полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$
Квантовая электроника, 7:6 (1980), 1209–1212
-
Растровый оптический микроскоп на основе полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1525–1528
-
Влияние скорости сканирования электронного пучка на выходные параметры полупроводникового лазера продольной накачкой
Квантовая электроника, 6:4 (1979), 789–796
-
Двухмерные варизонные структуры в полупроводниковых лазерах с продольной накачкой
Квантовая электроника, 5:9 (1978), 2035–2038
-
Варизонные структуры в полупроводниковых лазерах с электронным возбуждением
Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1310–1317
-
Лазер с накачкой электронным пучком на гетероструктуре ZnSe – ZnS
Квантовая электроника, 3:3 (1976), 612–614
-
Плавная перестройка частоты генерации в лазерах с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 2:10 (1975), 2231–2237
-
О влиянии усиленного спонтанного излучения на параметры лазера с продольной накачкой
Квантовая электроника, 2:8 (1975), 1757–1762
-
Селекция продольных мод в резонаторе с периодическим распределением диэлектрической проницаемости
Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1459–1464
-
Мощный многоэлементный полупроводниковый лазер с продольной накачкой
Квантовая электроника, 2:6 (1975), 1335–1336
-
Получение телевизионного изображения на большом экране с помощью лазерной электроннолучевой трубки
Квантовая электроника, 1:11 (1974), 2521–2523
-
Динамика излучения полупроводникового лазера с продольным возбуждением электронным пучком
Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1266–1267
-
Вынужденная синхронизация продольных мод в полупроводниковом лазере с электронной накачкой
Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1264–1265
-
Влияние неоднородности возбуждения на порог генерации лазеров с электронной накачкой
Квантовая электроника, 1:2 (1974), 357–364
-
Исследование динамики излучения полупроводникового лазера типа «излучающее зеркало» с внешним резонатором
Квантовая электроника, 1:1 (1974), 149–151
-
Конструкции и некоторые возможные применения полупроводниковых лазеров с возбуждением электронным пучком (обзор)
Квантовая электроника, 1973, № 6(18), 5–22
-
О направленности излучения лазеров типа «излучающее зеркало» с электронной накачкой
Квантовая электроника, 1972, № 6(12), 110–111
-
Кинетика восстановления люминесцентных свойств монокристаллов арсенида галлия, облученных интенсивным пучком электронов
Квантовая электроника, 1972, № 5(11), 108–111
-
Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 1972, № 2(8), 61–68
-
Монокристаллы сульфида кадмия для лазеров с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 1972, № 7, 44–47
-
Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком
Докл. АН СССР, 201:6 (1971), 1316–1318
-
Многоэлементный полупроводниковый лазер типа «излучающее зеркало»
Квантовая электроника, 1971, № 5, 95–96
-
Накачка полупроводникового лазера электронным пучком, модулированным СВЧ-сигналом
Квантовая электроника, 1971, № 4, 97–99
-
Характеристики квантового генератора на арсениде галлия с накачкой пучком электронов высокой энергии
Квантовая электроника, 1971, № 3, 29–33
-
Мощный полупроводниковый квантовый генератор с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 1971, № 2, 92–93
-
Полупроводниковый квантовый генератор на арсениде галлия с плоским резонатором
Докл. АН СССР, 168:6 (1966), 1283–1286
-
Индуцированное излучение в монокристалле $\mathrm{GaSe}$ при возбуждении быстрыми электронами
Докл. АН СССР, 161:5 (1965), 1059
-
Возбуждение полупроводникового квантового генератора пучком быстрых электронов
Докл. АН СССР, 155:4 (1964), 783
© , 2026