RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Богданкевич Олег Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Измерение разрешающей способности лазерных электронно-лучевых трубок — квантоскопов

    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  381–384
  2. О разрешающей способности лазерных электронно-лучевых трубок — квантоскопов

    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  161–166
  3. Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1113–1136
  4. О пределах применимости модели однородно-уширенной линии генерации на основе CdS

    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  887–888
  5. Лазерный эффект в соединениях PbSSe при продольной накачке электронным пучком

    Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2020–2022
  6. Неаксиальные типы колебаний в полупроводниковых лазерах с продольной накачкой

    Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1775–1780
  7. Особенности развития генерации в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 15:12 (1988),  2504–2507
  8. Импульсно-периодический режим работы многоэлементного полупроводникового лазера с электронным возбуждением

    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2015–2018
  9. Варизонная гетероструктура на основе $Al_xOa_{1-x}As$ для лазера с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 14:9 (1987),  1809–1811
  10. О неоднородном уширении линии излучения в полупроводниковых лазерах

    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  1096–1098
  11. Импульсно-периодический полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  605–607
  12. Лазеры на красителях с накачкой излучением мощных полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  218–220
  13. О влиянии продольной неоднородности возбуждения на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2373–2377
  14. Электронно-лучевая и оптическая стойкость полупроводников при импульсном возбуждении пучком электронов высокой интенсивности

    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2132–2135
  15. Импульсный неохлаждаемый полупроводниковый лазер на окиси цинка

    Письма в ЖТФ, 11:3 (1985),  136–140
  16. Импульсный многоэлементный полупроводниковый лазер с неустойчивым резонатором

    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1519–1521
  17. Неохлаждаемые импульсные лазеры на сульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1517–1519
  18. Порог генерации и расходимость излучения полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  848–851
  19. Исследование закономерностей формирования изображения в лазерном растровом микроскопе

    Квантовая электроника, 11:5 (1984),  998–1003
  20. Влияние глубоких примесных уровней на пороговые характеристики лазеров на основе $n$-Ga$_{1-x}$Al$_x$As с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 11:4 (1984),  833–835
  21. О распределении плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 10:11 (1983),  2236–2246
  22. Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений

    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1007–1009
  23. Исследование профиля показателя преломления в многослойных лазерных гетероструктурах на основе Ga1–xAlxAs

    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  426–427
  24. Многоэлементный полупроводниковый лазер видимого диапазона с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1732–1733
  25. Транспортировка интенсивного электронного пучка в нейтральных газах

    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  234–247
  26. Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком, работающий при низких ускоряющих напряжениях

    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1128–1131
  27. Управление излучением инжекционных источников света с помощью электронного пучка

    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1126–1128
  28. Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1124–1126
  29. Влияние легирования Ga0,68Al0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  201–204
  30. О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1447–1450
  31. Полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$

    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1209–1212
  32. Растровый оптический микроскоп на основе полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1525–1528
  33. Влияние скорости сканирования электронного пучка на выходные параметры полупроводникового лазера продольной накачкой

    Квантовая электроника, 6:4 (1979),  789–796
  34. Двухмерные варизонные структуры в полупроводниковых лазерах с продольной накачкой

    Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2035–2038
  35. Варизонные структуры в полупроводниковых лазерах с электронным возбуждением

    Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1310–1317
  36. Лазер с накачкой электронным пучком на гетероструктуре ZnSe – ZnS

    Квантовая электроника, 3:3 (1976),  612–614
  37. Плавная перестройка частоты генерации в лазерах с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2231–2237
  38. О влиянии усиленного спонтанного излучения на параметры лазера с продольной накачкой

    Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1757–1762
  39. Селекция продольных мод в резонаторе с периодическим распределением диэлектрической проницаемости

    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1459–1464
  40. Мощный многоэлементный полупроводниковый лазер с продольной накачкой

    Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1335–1336
  41. Получение телевизионного изображения на большом экране с помощью лазерной электроннолучевой трубки

    Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2521–2523
  42. Динамика излучения полупроводникового лазера с продольным возбуждением электронным пучком

    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1266–1267
  43. Вынужденная синхронизация продольных мод в полупроводниковом лазере с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1264–1265
  44. Влияние неоднородности возбуждения на порог генерации лазеров с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 1:2 (1974),  357–364
  45. Исследование динамики излучения полупроводникового лазера типа «излучающее зеркало» с внешним резонатором

    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  149–151
  46. Конструкции и некоторые возможные применения полупроводниковых лазеров с возбуждением электронным пучком (обзор)

    Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  5–22
  47. О направленности излучения лазеров типа «излучающее зеркало» с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 1972, № 6(12),  110–111
  48. Кинетика восстановления люминесцентных свойств монокристаллов арсенида галлия, облученных интенсивным пучком электронов

    Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  108–111
  49. Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  61–68
  50. Монокристаллы сульфида кадмия для лазеров с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 1972, № 7,  44–47
  51. Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком

    Докл. АН СССР, 201:6 (1971),  1316–1318
  52. Многоэлементный полупроводниковый лазер типа «излучающее зеркало»

    Квантовая электроника, 1971, № 5,  95–96
  53. Накачка полупроводникового лазера электронным пучком, модулированным СВЧ-сигналом

    Квантовая электроника, 1971, № 4,  97–99
  54. Характеристики квантового генератора на арсениде галлия с накачкой пучком электронов высокой энергии

    Квантовая электроника, 1971, № 3,  29–33
  55. Мощный полупроводниковый квантовый генератор с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 1971, № 2,  92–93
  56. Полупроводниковый квантовый генератор на арсениде галлия с плоским резонатором

    Докл. АН СССР, 168:6 (1966),  1283–1286
  57. Индуцированное излучение в монокристалле $\mathrm{GaSe}$ при возбуждении быстрыми электронами

    Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1059
  58. Возбуждение полупроводникового квантового генератора пучком быстрых электронов

    Докл. АН СССР, 155:4 (1964),  783


© МИАН, 2026