Пак Г Т

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм
   
   Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031
2. Согласование полоскового инжекционного лазера с внешним резонатором
   
   Квантовая электроника, 17:6 (1990),  781–786
3. Инжекционный лазер с волноводной линзой
   
   Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2173–2176
4. Формирование узкого скоростного распределения атомного пучка цезия резонансным излучением инжекционного лазера
   
   Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1507–1510
5. Анализ влияния связи между каналами на оптические характеристики лазерных решеток Y-разветвителей
   
   Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1198–1201
6. Перестроечные характеристики инжекционного лазера с коротким внешним дисперсионным резонатором
   
   Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1128–1131
7. Вывод излучения из одночастотного GaAlAs/GaAs лазера с внешним дисперсионным резонатором
   
   Квантовая электроника, 16:5 (1989),  957–960
8. Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера
   
   Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2223–2226
9. Высокочастотная аналоговая модуляция полупроводникового лазера
   
   Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2012–2015
10. Спектральные характеристики инжекционного лазера с внутрирезонаторной поглощающей ячейкой
    
    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1730–1737
11. Излучательные характеристики лазерных и суперлюминесцентных диодов с градиентным волноводом
    
    ЖТФ, 57:5 (1987),  913–917
12. Фазированная генерация излучения регулярной решетки активных симметричных мезаполосковых разветвителей на основе ДГС AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 14:9 (1987),  1737–1738
13. Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  892–894
14. Фазирование генерации в линейках полосковых GaAlAs/GaAs-лазеров с использованием активных направленных ответвителей
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  874–876
15. Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2414–2423
16. Дисперсия показателей преломления и радиочастоные спектры межмодовых биений гетеролазера во внешнем дисперсионном резонаторе
    
    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1362–1365
17. Генерирование и регистрация пикосекундных оптических импульсов при прямой токовой модуляции инжекционного гетеролазера
    
    Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  862–865
18. Управление астигматизмом и поляризацией излучения в полосковом гетеролазере
    
    Письма в ЖТФ, 11:3 (1985),  165–168
19. Измерение частотного сдвига в пикосекундном импульсе инжекционного лазера с синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1297–1299
20. Синхронизация мод сталкивающихся импульсов в полупроводниковом лазере с неоднородной инжекцией
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  661–662
21. Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  162–164
22. Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  231–232
23. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
24. Особенности температурного дрейфа частоты излучения полоскового полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2264–2266
25. Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1957–1961
26. Бистабильный инжекционный гетеролазер непрерывного действия
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  880–882
27. Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  853–859
28. Запись голограмм излучением полупроводникового лазера с голографическим селектором
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2654–2656
29. Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2642–2644
30. Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2504–2506
31. Ионно-плазменная обработка зеркал резонатора инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2054–2057
32. Свойства планарных полосковых гетеролазеров.  II. Анализ электрических характеристик
    
    Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1670–1676
33. Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики
    
    Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1664–1669
34. Методы определения тепловых характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  155–169
35. О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  123–127
36. Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора
    
    Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1264–1270
37. Особенности ватт-амперных характеристик гетеролазеров с полосковым контактом
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  972–978
38. Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2493–2495
39. Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1220–1222
40. Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  163–164
41. Некоторые свойства деградации гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  108–110
42. Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  99–101
43. Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  97–99