Ковалев Валерий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Вынужденное комбинационное рассеяние 0.3-ps лазерных импульсов с длиной волны 515 nm в кристаллах Ca$_3$(VO$_4$)$_2$ и Ca$_{0.27}$Sr$_{0.3}$(VO$_4$)$_2$
   
   Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023),  207–211
2. Эффективное ВКР чирпированных импульсов титан-сапфирового лазера в кристалле BaWO₄
   
   Квантовая электроника, 52:3 (2022),  278–282
3. «Быстрое» высокоэффективное ОВФ-зеркало на основе InAs в резонаторе импульсно-периодического СО₂-лазера
   
   Квантовая электроника, 25:3 (1998),  243–248
4. О работе К.Биирсто, Р.Вальтера, А.А.Ионина и др. «Высокочастотная временная структура лазерного и ОВФ-сигналов при внутрирезонаторном ВЧВС излучения электроионизационных СО₂- и СО-лазеров в их активной среде»
   
   Квантовая электроника, 25:1 (1998),  96
5. Предельно достижимая эффективность кубического нелинейного отклика вещества
   
   Квантовая электроника, 24:8 (1997),  751–753
6. Механизм самосинхронизации мод собственной активной средой CO₂-лазеров
   
   Квантовая электроника, 23:2 (1996),  135–136
7. Эффективность отражения и время релаксации отклика при вырожденном четырехволновом взаимодействии в собственной активной среде ТЕА СО₂-лазеров
   
   Квантовая электроника, 23:1 (1996),  12–16
8. Мощность шумового излучения ОВФ-зеркал на основе вырожденного четырехволнового взаимодействия
   
   Квантовая электроника, 22:11 (1995),  1118–1122
9. Динамика ТЕА СО₂-лазера с кубической нелинейной средой в резонаторе: от стабилизации частоты до хаоса
   
   Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1160–1168
10. О времени релаксации ОВФ-отражения при четырехволновом взаимодействии излучения в собственной активной среде СО₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 21:9 (1994),  895–896
11. Эффект аномального усиления наносекундного импульса в активной среде СO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  525–526
12. Высокоэффективное ОВФ-зеркало на основе InAs в резонаторе СО₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 20:3 (1993),  254–260
13. Коррекция фазовых неоднородностей в нелинейном кольцевом резонаторе на λ = 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  931–932
14. Нелинейное поглощение хаотически пульсирующего излучения СO₂-лазера в узкозонных полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1459–1462
15. Роль нелинейного поглощения в ОВФ ИК излучения при четырехволновом взаимодействии в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1336–1339
16. Пространственные характеристики и качество ОВФ излучения CO₂-лазера с InAs в резонаторе
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  687–690
17. Оптические покрытия для мощных неодимовых лазеров
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2051–2058
18. Влияние нелинейного поглощения на нелинейный набег фазы излучения в InSb и InAs на 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 14:9 (1987),  1851–1853
19. Измерение нелинейной восприимчивости пятого порядка в InSb на 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 14:8 (1987),  1685–1687
20. Влияние примесей Ca и Pb на объемную лучевую прочность особочистых кристаллов NaCl и KCl
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1181–1184
21. Нелинейная восприимчивость InSb на длине волны 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1170–1174
22. Нелинейное поглощение встречных волн в InAs на длине волны 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  621–622
23. Эффективность отражения в схеме ОВФ при четырехволновом взаимодействии с пассивной оптической поляризационной развязкой на 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1885–1890
24. Энергетические характеристики двухпроходового CO₂-усилителя
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1589–1594
25. Измерение параметров нелинейного отклика жидкостей в области акустического резонанса методом невырожденного четырехволнового взаимодействия
    
    Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1328–1335
26. О качестве ОВФ многочастотного излучения при четырехволновом взаимодействии
    
    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  186–189
27. Нелинейное рассеяние на 10,6 мкм в волоконном световоде из КРС-5
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1513–1514
28. Пробой на поверхности и нелинейное поглощение полупроводников при воздействии излучения импульсного CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 11:5 (1984),  989–993
29. Коэффициенты усиления ВРМБ и времена затухания гиперзвуковых волн в оптических кристаллах на 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  168–171
30. Вклад теплового механизма в отражение при вырожденном четырехволновом взаимодействии в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  85–90
31. Точность отражения назад при квазивырожденном четырехволновом взаимодействии
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1899–1902
32. Динамический диапазон отражения при четырехволновом взаимодействии в резонансных средах на 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1276–1278
33. Влияние параметров оптической обработки и процесса естественного старения на глубину нарушенного слоя и лучевую прочность поверхности монокристаллов КСl
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1912–1915
34. Отражение многочастотного сигнала при четырехволновом взаимодействии в германии на 10,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  860–864
35. Измерение поглощения и толщины эквивалентного слоя адсорбированной воды на поверхности NaCl
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1100–1102
36. Динамика развития пробоя вблизи поверхности элементов ИК оптики в газовой среде
    
    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1605–1608
37. Исследование стойкости кристаллов КРС-6 и КРС-5 к воздействию излучения импульсного CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1043–1047
38. Фотографическая регистрация спектра излучения моноимпульсного CO₂-лазера при параметрическом преобразовании на кристалле прустита
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  128–131
39. Влияние адсорбированной воды на лучевую стойкость элементов ИК оптики
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  587–595
40. Влияние коротковолнового поглощения на порог объемного разрушения кристаллов излучением импульсного CO₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  455–457
41. Спектры ионов кратностью 15–24 элементов от Fe до Br в области 50–150 Å, возбуждаемые в лазерной плазме
    
    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  190–193
42. Исследование лучевой прочности золотых покрытий
    
    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1527–1535
43. Возникновение непрозрачности и разрушение оптических материалов под действием излучения импульсного лазера на двуокиси углерода
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2172–2177
44. Коэффициенты усиления и ширины линий для вынужденного рассеяния Мандельштама–Бриллюэна в газах
    
    Квантовая электроника, 1972, № 7,  78–80


45. Лазеры и лазерное оборудование на выставке «Физика-75»
    
    Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1837–1840