Смирнов Владимир Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обработка сигналов волоконного интерферометра с использованием голографической фильтрации
   
   Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1490–1493
2. Коррелированная перестройка картины спеклов в интерферометре на многомодовом волоконном световоде
   
   Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1080–1083
3. Фотоприемные волноводные структуры на основе эпитаксиальных слоев InGaAs для оптических интегральных схем на полупроводниковых соединениях A^IIIB^V
   
   Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1072–1073
4. Исследование многоканального волноводного электрооптического модулятора как управляемого транспаранта
   
   Квантовая электроника, 17:5 (1990),  626–630
5. Согласование волоконных световодов и полосковых оптических волноводов с помощью градиентных оптических согласующих элементов
   
   Квантовая электроника, 17:1 (1990),  75–79
6. Планарные и полосковые оптические волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAs и твердых растворов GaAs_1 – xP_x
   
   Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2121–2126
7. Квазиодномодовое возбуждение поверхностных световых волн в многомодовых волоконных световодах
   
   Квантовая электроника, 15:7 (1988),  1442–1447
8. Преобразование мод под воздействием лазерных УКИ в полупроводниковых планарных волноводах
   
   Квантовая электроника, 15:7 (1988),  1426–1428
9. Элементы волноводного тракта оптических интегральных схем на основе трехмерных оптических волноводов
   
   Квантовая электроника, 15:7 (1988),  1327–1357
10. Оптические волноводные процессоры
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1319–1360
11. Двулучепреломление нерегулярного участка одномодового волоконного световода с плавными переходами
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1109–1114
12. Анализ «анизотропных» свойств волноводных голограмм, сформированных на изотропных материалах
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  845–850
13. Использование халькогенидных стекол в интегральной и волоконной оптике (обзор)
    
    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1093–1117
14. Передача оптического сигнала с переключаемой по частоте несущей
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1061–1062
15. Исследование плавных переходов в оптических волноводах с проводящей граничной средой
    
    Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1964–1967
16. Использование селективности растворения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования пассивных элементов интегральной оптики
    
    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1302–1304
17. Поляризационные свойства многоканальных оптических волокон ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1690–1692
18. Анизотропные дифракционно-решетчатые структуры для интегрально-оптических схем
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1255–1257
19. Исследование органических фотохромных материалов для записи волноводных программ
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1250–1253
20. Интегрально-оптический смеситель в тонкопленочном волноводе на основе анизотропных дифракционно-решетчатых структур для многоканальных волоконно-оптических линий связи
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  581–585
21. Методы согласования устройств интегральной оптики и волоконно-оптических линий связи (обзор)
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1733–1763
22. Интегрально-оптический фотоприемник на внешнем фотоэффекте через барьер Шоттки
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  449–452
23. Интегрально-оптический переключатель каналов на основе индуцированных электрическим полем волноводов в LiNbO₃
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1907–1910
24. О светочувствительности слоев халькогенидных стеклообразных полупроводников при импульсной записи голограмм
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  786–788
25. Дифракция световых волн на динамических решетках в волноводах из полупроводниковых материалов
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  782–785
26. Анализ записи амплитудно-фазовых голографических дифракционных решеток на пленках халькогенидных стекол
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  777–779
27. Исследование дифракции световых волн в плоскости волновода на динамических решетках, индуцированных светом
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  676–681
28. Исследование оптических волокон из As₂S₃ для устройств согласования планарных и цилиндрических волноводов
    
    Квантовая электроника, 9:1 (1982),  25–32
29. Исследование неколлинеарной брегговской дифракции на гофрированных решетчатых структурах в диффузионных волноводах
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  2032–2034
30. Исследование решетчатых структур в составных волноводах
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  732–736
31. Исследование интегрально-оптических лунберговских линз, изготовленных методом лазерного напыления
    
    Квантовая электроника, 8:3 (1981),  650–653
32. Исследование прохождения импульсов ультракороткой длительности через волноводный резонатор с распределенными брегговскими зеркалами
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  412–414
33. Влияние изменения толщины волновода на эффективность брэгговской дифракции излучения на решетчатых структурах
    
    Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2362–2366
34. Исследование мультиплексора каналов передачи информации с частотным уплотнением
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1360–1362
35. Получение тонкопленочных волноводов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников методом лазерного напыления
    
    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1132–1133
36. Исследование поляризационной модуляции излучения в полосковых волноводах гребенчатого типа под действием механических нагрузок
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  194–195
37. Электрооптические модуляторы излучения на основе полупроводниковых волноводов гребенчатого типа
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  110–115
38. Исследование условий согласования полупроводниковых излучателей с тонкопленочными планарными и полосковыми волноводами
    
    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2262–2264
39. Объемные дифракционные решетки с наклонными слоями в тонкопленочных оптических волноводах
    
    Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2628–2630
40. Поверхностные волны в элементах интегральной оптики с распределенной связью (обзор)
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2309–2331
41. Фотоприемные элементы и дифракционные решетки рельефного типа в тонких пленках As₂S₃ для интегральной оптики
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1090–1094
42. Интегрально-оптический смеситель в тонкопленочном волноводе на основе фазовых дифракционных решеток для многоканальных оптических линий связи
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  508–514
43. Использование оптических волокон для записи Фурье-голограмм с высокой информативной плотностью
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  223–225
44. Электрооптическая фазовая модуляция излучения в тонкопленочных волноводах на основе эпитаксиальных слоев GaAsP
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  146–147
45. Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  135–138
46. Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2007–2009
47. Волноводные структуры и функциональные элементы интегрально-оптических схем на основе объемных голографических решеток в тонких пленках As₂S₃
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  629–637
48. Дополнение к переводу
    
    УФН, 121:4 (1977),  721–726
49. Модуляция лазерного излучения в жидкостных тонкопленочных волноводах
    
    Квантовая электроника, 2:11 (1975),  2499–2508
50. Связь интегральных оптических схем с волоконными световодами
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  844–847
51. Согласование излучения полупроводникового лазера на GaAs пленочными волноводными структурами на основе (AlGa) As
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  826–830
52. Управление излучением в тонкопленочных волноводах путем модуляции параметров призменных устройств связи
    
    Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2630–2633
53. Селективное возбуждение волноводных мод и измерение параметров пленочных гетероструктур на основе Al_xGa_1–xAs–GaAs для целей интегральной оптики
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1880–1882
54. Тонкопленочные диэлектрические волноводы с металлическими покрытиями
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1747–1751
55. Применение пленочных волноводов в оптоэлектронике для считывания информации с голограмм
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  208–211
56. Наблюдение сверхтонкой структуры селективного отражения от паров Cs¹³³ с помощью полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  146–149
57. Когерентность излучения импульсного одномодового инжекционного полупроводникового квантового генератора
    
    Докл. АН СССР, 203:5 (1972),  1027–1029
58. Считывание голограмм с помощью инжекционного полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 1971, № 6,  115–116
59. Влияние пульсаций интенсивности излучения инжекционного лазера на спектр его генерации
    
    Квантовая электроника, 1971, № 4,  99–103
60. Частотная модуляция полупроводникового лазера током инжекции
    
    Квантовая электроника, 1971, № 3,  90–92


61. V конференция ученых социалистических стран по аморфным и стеклообразным полупроводникам «Аморфные полупроводники-80» (Кишинев, 20–24 октября 1980 г.)
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1146–1150