Турчановский Игорь Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модель электропластичности в аморфных металлических сплавах
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  2029–2037
2. Неоднородная пластическая деформация аморфных металлических сплавов под действием квазистатической механической нагрузки
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  104–116
3. О возможном механизме внешнего инфразвукового механического стимулирования процесса формирования нанокристаллов в аморфной металлической пленке
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1662–1673
4. Кинетическая модель наноструктурирования аморфной металлической пленки, инициированного миллисекундным тепловым импульсом
   
   ЖТФ, 90:7 (2020),  1136–1144
5. Зарождение и распространение температурного фронта при кристаллизации аморфного сплава Ti$_{50}$Cu$_{50}$
   
   ЖТФ, 88:3 (2018),  374–379
6. Лазер на смеси SF₆ — H₂ с накачкой радиально сходящимся пучком электронов
   
   Квантовая электроника, 24:9 (1997),  781–785
7. XeCl-лазер с энергией генерации 200 Дж
   
   Квантовая электроника, 24:8 (1997),  688–690
8. Моделирование процессов в He$-$Cd смеси при ионной и электронной накачках
   
   ЖТФ, 62:3 (1992),  18–23
9. Предельные значения выхода СЖР излучения при торможении электронов
   
   Письма в ЖТФ, 17:12 (1991),  17–21
10. Влияние состава смеси на характеристики мощного XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 17:3 (1990),  300–303
11. Генерация в ксеноне при накачке радиально сходящимся пучком электронов
    
    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  17–19
12. Влияние магнитного поля на угловое распределение электронов
    
    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  76–79
13. Возможность получения имплантированных слоев большой толщины
    
    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1303–1306
14. Влияние магнитного поля на распределение энергии в рабочем объеме газового лазера, возбуждаемого электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  991–993
15. Восстановление динамики кристаллизации имплантированных образцов при импульсном тепловом воздействии
    
    ЖТФ, 56:3 (1986),  619–621
16. Динамика импульсного электронного отжига легированных полупроводников
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1385–1386