RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гарбузов Дмитрий Залманович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418
  2. Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21
  3. Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286
  4. Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41
  5. Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54
  6. О возможности увеличения предельной плотности излучения в гетеролазерах с широким волноводом

    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1411–1414
  7. Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16
  8. Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках VO$_{2}$

    ЖТФ, 59:10 (1989),  174–177
  9. Влияние внутренних потоков в расплаве при росте эпитаксиальных слоев на движущуюся подложку

    ЖТФ, 59:1 (1989),  92–97
  10. Формирование высокочастотной последовательности пикосекундных оптических импульсов на длине волны 1.32 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  64–68
  11. Система диодной накачки АИГ${-}$Nd$^{3+}$ на основе InGaAsP/GaAs структур ($\text{Р}_{1.06}=320$ мВт, кпд 12%)

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  15–21
  12. Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29
  13. Оксидно-полосковые и зарощенные AlGaAs/GaAs квантово-размерные лазеры, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  20–25
  14. Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером

    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2423–2425
  15. Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2111–2117
  16. Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110
  17. Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1035–1039
  18. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034
  19. Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)

    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  657–663
  20. Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132
  21. Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором

    Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120
  22. Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)

    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702
  23. Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597
  24. Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246
  25. Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)

    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104
  26. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения

    ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824
  27. Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1501–1503
  28. Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1217–1222
  29. Влияние насыщения усиления и квантово-размерных эффектов на пороговые характеристики лазеров с супертонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1085–1094
  30. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829
  31. Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230$-$60 Å

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  437–441
  32. Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181
  33. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164
  34. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
  35. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
  36. Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374
  37. Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211
  38. Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149
  39. Времена собственных излучательных переходов в квантово-размерных гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1816–1822
  40. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
  41. Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности

    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663
  42. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
  43. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
  44. Спонтанные торцевые InGaAsP/InP ДГС излучатели (${\gamma=1.3}$ мкм) для ВОЛС диаметром $50$ мкм

    ЖТФ, 55:4 (1985),  807–809
  45. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
  46. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями

    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
  47. 0.677  мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1115–1118
  48. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
  49. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459
  50. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455
  51. Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  136–138
  52. $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)

    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1409–1413
  53. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
  54. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
  55. Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157
  56. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
  57. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
  58. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045
  59. Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1655–1659
  60. Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1069–1076
  61. Рецензия на книгу Л.М.  Когана «Полупроводниковые светоизлучающие диоды»

    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  964–965
  62. Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758
  63. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165
  64. Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108
  65. Спонтанные торцевые InGaAsP/InP-ДГС излучатели для ВОЛС с диаметром 200 мкм

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1286–1290
  66. Лазерные преобразователи коротковолнового излучения в инфракрасное на основе InGaAsP/InP ДГС (${\lambda=1.0{-}1.35}$ мкм, ${\eta_{D}=20}$%, ${T=300}$ K)

    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  1010–1016
  67. Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1408–1411
  68. Расчеты времен оже-процессов в твердых растворах $p$-InGaAsP

    ЖТФ, 53:2 (1983),  315–319
  69. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2168–2172
  70. Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1652–1655
  71. Излучательные и оже-процессы в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме ДГ-InGaAsP/InP-структур (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1557–1563
  72. Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1402–1405
  73. Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  843–846
  74. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717
  75. Влияние эффекта насыщения интенсивности люминесценции на пороги генерации ДГ-InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) при ${T\geqslant300}$ K

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  538–540
  76. Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких уровнях возбуждения

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  464–468
  77. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  242–246
  78. Торцевые суперкороткие AlGaAs-излучатели с ${\eta_{e}\approx10}$% (${T=300^{\circ}}$ K)

    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  900–906
  79. Модель лазера на основе YAG:Nd3+ с полупроводниковым преобразователем в системе накачки

    Квантовая электроника, 3:6 (1976),  1349–1352

© МИАН, 2026