Вывенко Олег Фёдорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ультрафиолетовая катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:1 (2025),  3–9
2. Выращивание кристаллов K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$ из раствора в расплаве KF и исследование их свойств
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1150–1153
3. Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  306–309
4. Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  298–301
5. Кристаллизация $\beta$-Ga$_2$O$_3$ из раствора-расплава и исследование полученных кристаллов методом катодолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  548–551
6. Структура и рекомбинационные свойства двойниковых границ в $\kappa$-фазе оксида галлия
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2194–2197
7. Влияние комбинированного ионного и электронного облучения на полосу люминесценции 2 eV в гексагональном нитриде бора
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  921–927
8. Атомная конфигурация и зарядовое состояние водорода на дислокациях в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  305–310
9. Люминесценция свежевведенных $a$-винтовых дислокаций в низкоомном GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1217–1222
10. Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в наноперфорированном графене
    
    Письма в ЖЭТФ, 98:4 (2013),  242–246
11. Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  251–254
12. Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  228–232
13. Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  223–227
14. Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1693–1700
15. Отрицательный фотоакустический эффект в стеклообразном селениде мышьяка
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1653–1656
16. Нелинейная перколяционная проводимость в дислокационном сульфиде кадмия
    
    Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2020–2030
17. Фотоэлектрические процессы в сульфиде кадмия с изовалентной примесью теллура
    
    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1745–1750
18. Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2208–2210
19. Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS
    
    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1650–1658
20. Стимулированное обработкой в водороде превращение при 520 K тетрагональной фазы YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$ в ромбическую сверхпроводящую
    
    Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  84–87
21. Метастабильность дефектов, связанных с дислокациями, в сульфиде кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1521–1524
22. Деформации кристаллической решетки керамики состава Bi$-$Ca$-$Sr$-$Сu$-$О при нагревании и термодесорбции летучих компоненов
    
    Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  23–26
23. Анизотропия проводимости, обусловленная краевыми призматическими дислокациями в сульфиде кадмия
    
    Физика твердого тела, 29:3 (1987),  855–857
24. Использование двойного оптического возбуждения в спектроскопии поверхностной фотоэдс
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  146–149


25. Ионно-лучевая модификация локальных люминесцентных свойств гексагонального нитрида бора
    
    ЖТФ, 92:7 (2022),  1166–1171