Швейкин Василий Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Новые диодные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе
   
   Квантовая электроника, 32:8 (2002),  683–688
2. Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде
   
   Квантовая электроника, 27:2 (1999),  131–133
3. Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде
   
   Квантовая электроника, 26:1 (1999),  33–36
4. Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде
   
   Квантовая электроника, 26:1 (1999),  28–32
5. Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры
   
   Квантовая электроника, 24:9 (1997),  773–775
6. Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью с одномодовым световодом и оптическим изолятором
   
   Квантовая электроника, 22:7 (1995),  653–655
7. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями
   
   Квантовая электроника, 22:2 (1995),  105–107
8. Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров
   
   Квантовая электроника, 22:2 (1995),  101–104
9. Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления
   
   Квантовая электроника, 21:7 (1994),  633–639
10. Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  405–408
11. Малогабаритный неодимовый лазер с полупроводниковой накачкой и преобразованием частоты в четвертую гармонику
    
    Квантовая электроника, 17:2 (1990),  165–166
12. Полупроводниковый лазер на GaAs с распределенной обратной связью и накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  1957–1962
13. Вывод излучения ПКГ с электронным возбуждением через дифракционную решетку
    
    Квантовая электроника, 2:3 (1975),  621–622
14. Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1220–1222
15. Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  163–164
16. О возбуждении электромагнитных волн TE_n с высоким поперечным индексом и зависимость порога генерации и эффективности лазерных диодов от порядка возбуждаемой моды
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  54–61
17. Некоторые свойства деградации гетеролазеров
    
    Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  108–110
18. Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  99–101
19. Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  97–99