Востоков Николай Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1148–1156
2. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
3. Малосигнальная электрическая схема диода Шоттки по данным микроволновой спектрометрии
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  60–72
4. Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводниковой структуры
   
   Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  169–180
5. Резонансная микроволновая спектроскопия полупроводников с микронным разрешением
   
   ЖТФ, 92:3 (2022),  492–502
6. Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  627–629
7. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
8. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54
9. Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников
   
   ЖТФ, 90:11 (2020),  1944–1950
10. Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1311–1314
11. Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150–250 GHz
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  56–58
12. Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах
    
    ЖТФ, 87:5 (2017),  746–753
13. Применение низкобарьерных структур металл–полупроводник–металл для детектирования микроволновых сигналов
    
    ЖТФ, 84:7 (2014),  91–95
14. Исследование электрофизических и структурных параметров YBCO-пленок, выращенных за несколько ростовых циклов
    
    Письма в ЖТФ, 37:14 (2011),  54–59
15. Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1511–1513
16. Осаждение YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ пленок на обе стороны подложки методом магнетронного напыления
    
    Письма в ЖТФ, 36:18 (2010),  60–66
17. Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
    
    Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  425–429
18. Наблюдение лазерно-индуцированных локальных модификаций магнитного порядка в слоях переходных металлов
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:4 (2001),  214–219
19. Когерентное воздействие на поверхность четырех пучков излучения XeCl-лазера
    
    Квантовая электроника, 30:4 (2000),  333–336