Кригель В Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218
2. Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями
   
   Квантовая электроника, 22:2 (1995),  105–107
3. Распределение примеси теллура вблизи дислокаций в монокристаллах GaAs
   
   Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1180–1183
4. Оптимизация температурного интервала при ускоренных испытаниях гетеролазеров на основе Ga_1–xAl_xAs–GaAs
   
   Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1334–1336


5. Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564