Булаев Петр Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218
2. Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения
   
   Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215
3. Непрерывные одноваттные инжекционные лазеры в спектральной области около 808 нм с полным КПД до 50%
   
   Квантовая электроника, 25:4 (1998),  303–304


4. Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
   
   Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564