Масычев Виктор Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Применение деформируемых зеркал в технологических СО₂-лазерах. I. Зеркалo с управляемой кривизной отражающей поверхности
   
   Квантовая электроника, 33:6 (2003),  547–552
2. Опаянный $CO-CO_2$-лазер с электрохимической перестройкой спектра излучения
   
   Письма в ЖТФ, 13:22 (1987),  1403–1407
3. Применение зондирующего излучения с двумя длинами волн для определения природы рассеивающих неоднородностей в полупроводниковых кристаллах
   
   Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  129–133
4. Оптимизация химического состава активной среды СО-лазера на основе ионно-гетерогенной конверсии примесных газов на углероде
   
   Квантовая электроника, 13:2 (1986),  357–362
5. Экспериментальный волоконно-оптический кабель для передачи мощного излучения $CO$- и $CO_2$-лазеров
   
   Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  757–760
6. Лазерная обработка поверхности заготовки в процессе вытяжки кварцевых световодов
   
   Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  473–477
7. Коагуляция и деструкция биотканей излучением СО-лазера с волоконно-оптическим кабелем
   
   Квантовая электроника, 12:12 (1985),  2476–2479
8. Роль ксенона в механизме создания инверсии населенностей в лазере на окиси углерода. II. Анализ физико-химических процессов в рабочей смеси отпаянного активного элемента
   
   Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1940–1944
9. Роль ксенона в механизме создания инверсии населенностей в лазере на окиси углерода. I. Исследование физико-химических процессов и условий работы лазера с отпаянным активным элементом
   
   Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1932–1939
10. Преобразование излучения CO₂- и СО-лазеров на кристалле ZnGeP₂ в область спектра 2,3–3,1 мкм
    
    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1535–1537
11. Макет волоконно-оптического устройства для передачи мощности лазерного излучения и измерения температуры объекта облучения
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  879–881
12. Спектральная зависимость индуцированной током анизотропии показателя преломления на горячих электронах в $n$-InSb
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  565–567
13. Применение лазера на окиси углерода в хирургии
    
    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1959–1961
14. Исследование стабильности мощности непрерывного лазера на окиси углерода
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  402–407
15. Спектральные характеристики лазеров на окиси углерода с различным изотопным наполнением
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2303–2306
16. Влияние примесей молекулярных газов на энергетические характеристики отпаянных лазеров на окиси углерода
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1880–1883
17. Стабилизация газового наполнения миниатюрного отпаянного лазера на углекислом газе
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1601–1603
18. Перестраиваемый лазер на окиси углерода
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1540–1550
19. Измерение коэффициентов объемного и поверхностного поглощения высокопрозрачных твердых тел в области излучения $CO$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1342–1345
20. О возможности повышения КПД отпаянных лазеров на окиси углерода
    
    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2195–2198
21. О стабильности мощности генерации непрерывного СО-лазера, работающего на основной пространственной моде
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1556–1559
22. Оптические потери в кристаллах КРС-5 и КРС-6
    
    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  646–648