RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хребтов Артем Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO

    Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1403–1411
  2. Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  689–692
  3. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
  4. Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  122–127
  5. Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957
  6. Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1289–1292
  7. Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS

    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  658–663
  8. Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS

    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  608–614
  9. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
  10. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
  11. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
  12. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
  13. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
  14. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
  15. Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77
  16. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
  17. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
  18. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
  19. Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон

    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  49–55
  20. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79
  21. Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе

    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  33–41
  22. Фотоиндуцированное изменение люминесцентных свойств суспензий наночастиц PbS, стабилизированных поливинилпирролидоном

    Письма в ЖТФ, 41:2 (2015),  25–33
  23. Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363
  24. Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния

    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43
  25. Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360
  26. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
  27. Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801
  28. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
  29. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
  30. Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116
  31. Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846
  32. Ион-радикальный механизм оптического ограничения в фуллеренсодержащих растворах

    Квантовая электроника, 34:5 (2004),  407–411

© МИАН, 2026