Осинский М А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод
   
   Квантовая электроника, 35:9 (2005),  787–790
2. Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией
   
   Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1127–1132
3. Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN
   
   Квантовая электроника, 25:11 (1998),  1013–1016
4. Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки
   
   Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1069–1071
5. Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров
   
   Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1407–1416