Черныш Владимир Савельевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Преимущественное распыление сплава NiTi атомарными и кластерными ионами
   
   Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  34–38
2. Преимущественное распыление при облучении сплавов газовыми кластерными ионами
   
   ЖТФ, 92:12 (2022),  1943–1950
3. Аморфизация кремниевых нанонитей при облучении ионами аргона
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  11–14
4. Газодинамические источники кластерных ионов для решения фундаментальных и прикладных задач
   
   УФН, 192:7 (2022),  722–753
5. Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1030–1036
6. In situ модификация и анализ состава и кристаллической структуры кремниевой мишени с помощью ионно-пучковых методик
   
   ЖТФ, 88:12 (2018),  1900–1907
7. Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  778–782
8. Полировка поверхности сверхтвердых материалов пучками газовых кластерных ионов
   
   Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  18–23
9. Формирование кластерных ионов различных газов в режиме импульсной подачи газа
   
   Письма в ЖТФ, 41:22 (2015),  8–14
10. Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  535–538
11. Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  83–89
12. Имплантация высокоэнергетичных ионов под действием фемтосекундного лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 35:1 (2005),  33–37